Muisti

MT48LC64M4A2P-7E:D TR

osa: 1364

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (64M x 4), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

MT46V32M4TG-75:D TR

osa: 7108

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 128Mb (32M x 4), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V64M8P-75 IT:D

osa: 8079

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT48LC16M16A2BG-75:D

osa: 9478

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT28F800B5WG-8 TET TR

osa: 4372

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 80ns,

MT28F400B3SG-8 T

osa: 2749

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 80ns,

MT46V128M8TG-75:A

osa: 5573

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V16M16TG-75 IT:F TR

osa: 5767

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT28F128J3BS-12 MET TR

osa: 2330

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

MTFC128GAJAECE-AAT

osa: 42

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8),

MT46V32M16TG-75 IT:C

osa: 6902

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT52L1G64D8QC-107 WT:B TR

osa: 78

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 64Gb (1G x 64), Kellotaajuus: 933MHz,

MT28F004B5VG-8 B TR

osa: 3247

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 80ns,

MT48LC2M32B2TG-6 IT:G

osa: 4037

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (2M x 32), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

MT28F400B5WP-8 T TR

osa: 3270

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 80ns,

MT46V32M16FN-75:C TR

osa: 6661

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT47H16M16BG-5E:B

osa: 8289

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT47H32M16BN-3:D TR

osa: 9084

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 333MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT28F008B3VP-9 B TR

osa: 3236

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 8Mb (1M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 90ns,

MTFC256GAOAMAM-WT

osa: 96

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 2Tb (256G x 8),

MT48LC8M16LFF4-10:G

osa: 2070

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 100MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT48V8M32LFF5-10 TR

osa: 3785

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 100MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT29E1T08CUCCBH8-6:C

osa: 63

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

MT46V64M4FG-75:G

osa: 7559

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (64M x 4), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT48LC16M16A2P-6A:D

osa: 9591

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

MT28F128J3BS-12 ET TR

osa: 2262

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

MT48LC8M16A2P-7E IT:G TR

osa: 4167

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

MT47H64M8CB-37E:B

osa: 8667

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 267MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT48H16M32L2B5-8 IT TR

osa: 8843

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 512Mb (16M x 32), Kellotaajuus: 125MHz,

MT45W4MW16BFB-856 WT F

osa: 360

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: PSRAM, Teknologia: PSRAM (Pseudo SRAM), Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 85ns,

MT48LC4M16A2P-6 IT:G TR

osa: 631

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

MT28F640J3RP-115 MET

osa: 3833

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

MT48LC8M32B2B5-7 IT TR

osa: 2198

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 143MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

MT46V32M16TG-75E:C TR

osa: 1082

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V32M16FN-75 IT:C TR

osa: 6520

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT53E2G32D8QD-053 WT:E

osa: 88