Muisti

MT53D1G32D4NQ-062 WT ES:D TR

osa: 3326

MTFC8GAMALBH-AIT ES TR

osa: 531

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8),

MTFC8GAMALNA-AAT TR

osa: 3004

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8),

MT53D384M16D1Z1AMWC1

osa: 8314

MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B

osa: 2339

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT35XU512ABA2G12-0AAT TR

osa: 3609

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 200MHz,

MT53E512M32D2NP-046 TR

osa: 9957

MT53D384M64D4KA-046 XT ES:E

osa: 6176

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 24Gb (384M x 64), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT53D768M64D8SQ-046 WT ES:E TR

osa: 4021

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 48Gb (768M x 64), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT53D2048M32D8QD-053 WT ES:D

osa: 3301

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 64Gb (2G x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E

osa: 6684

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 2133MHz,

MTFC16GAPALNA-AAT

osa: 7453

MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9G TR

osa: 5915

MT53B384M32D2DS-062 AAT:B

osa: 4263

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 12Gb (384M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MTFC64GAJAEDN-AAT

osa: 4996

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8),

MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR

osa: 5789

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 8Gb (8G x 1),

EMF8132A3PB-DV-F-D

osa: 1394

MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B

osa: 8986

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1.125Tb (144G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT44K64M18RB-083E:A

osa: 4972

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 1.125Gb (64Mb x 18), Kellotaajuus: 1200MHz,

MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR

osa: 6734

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 12Gb (384M x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT53D512M32D2NP-046 WT:D TR

osa: 6947

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT29F256G08AMEBBH7-12:B

osa: 5288

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

MT41K256M8DA-107 IT:K TR

osa: 6076

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kellotaajuus: 933MHz,

MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR

osa: 5649

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (4G x 1),

MT53D1024M64D8NW-062 WT:D TR

osa: 6663

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 64Gb (1G x 64), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT53D4DAKA-DC TR

osa: 9251

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B

osa: 9120

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

MT53D4DAWT-DC

osa: 4256

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29TZZZ5D6JKFRL-107 W.96R

osa: 9269

MT40A512M16JY-062E IT:B

osa: 100

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 8Gb (512M x 16), Kellotaajuus: 1.6GHz,

MT25QU128ABA8E14-0SIT

osa: 1897

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 2.8ms,

MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F

osa: 9215

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, RAM, Teknologia: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2, Muistin koko: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2), Kellotaajuus: 533MHz,

MT29E384G08EBHBBJ4-3:B

osa: 8830

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 384Gb (48G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT41K128M16JT-125 V:K

osa: 8043

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kellotaajuus: 800MHz,

MT40A2G8FSE-093E:A

osa: 9357

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 16Gb (2G x 8), Kellotaajuus: 1067MHz,

MT53D768M32D4CB-053 WT:C

osa: 4763

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 24Gb (768M x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,