Muisti

MT53D4DASB-DC

osa: 6337

MT35XU512ABA1G12-0AUT

osa: 5665

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 200MHz,

MT52L256M32D1V01MWC2 MS

osa: 8101

MTFC32GAOALEA-WT ES

osa: 7519

MT29F64G08CBEDBL84C3WC1

osa: 4391

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8),

MT53D4D1ARQ-DC

osa: 6213

MT25QU01GBBB8ESF-0SIT

osa: 1319

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 166MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 2.8ms,

MT53D4DGSB-DC

osa: 6482

MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W ES.9B7 TR

osa: 2565

MT61K256M32JE-13:A

osa: 7189

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: SGRAM - GDDR6, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 1.625GHz,

MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B

osa: 5783

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 6Gb (384M x 16), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR

osa: 9517

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT25TL512BBA8ESF-0AAT

osa: 1366

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 2.8ms,

MT35XU01GBBA2G12-0AAT

osa: 1278

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 200MHz,

MT44K64M18RCT-125E:A TR

osa: 3803

MT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C

osa: 3554

MT25QL128ABB1EW7-CSIT

osa: 5116

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 2.8ms,

MT53B512M64D4EZ-062 WT:B

osa: 1789

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT35XL256ABA2GSF-0AAT

osa: 1255

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz,

MT29TZZZ8D5BKFAH-125 W.95K

osa: 1169

MT28EW01GABA1HPC-1SIT TR

osa: 3484

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Gb (128M x 8, 64M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D

osa: 6001

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 64Gb (1G x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E TR

osa: 9800

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 48Gb (768M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MTFC64GAPALNA-AIT ES

osa: 7668

MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT

osa: 1029

MT53D4DCFL-DC TR

osa: 9398

MT40A512M16JY-083E AUT:B TR

osa: 2592

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 8Gb (512M x 16), Kellotaajuus: 1.2GHz,

MTFC8GAMALBH-AAT ES TR

osa: 4067

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8),

MT53D8D1AJS-DC

osa: 6999

MT53E1G64D8NW-053 WT:E

osa: 7184

MT29VZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8

osa: 5545

MTFC32GAKAEJP-4M IT

osa: 2478

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8),

MT53B768M64D8WF-062 WT ES:D

osa: 9428

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 48Gb (768M x 64), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C TR

osa: 8791

MT53B2DDNP-DC TR

osa: 3121

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53E1G64D8NW-046 WT:E TR

osa: 9918