Diodit - Tasasuuntaajat - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 15

SIDC07D60AF6X1SA1

osa: 504

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 22.5A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 22.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC42D170E6X1SA2

osa: 549

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1700V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.15V @ 50A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC46D170HX1SA2

osa: 548

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1700V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 75A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 75A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC04D60F6X1SA3

osa: 504

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 9A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 9A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC23D60E6X1SA4

osa: 484

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 50A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC03D60C6X1SA2

osa: 552

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.95V @ 10A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC53D120H6X1SA3

osa: 476

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC20D60C6

osa: 567

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 75A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 75A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC14D60F6X1SA2

osa: 533

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 45A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 45A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SDT08S60

osa: 502

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 8A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

Infineon Technologies

SDD04S60

osa: 556

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 4A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

Infineon Technologies

SDB06S60

osa: 477

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 6A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC14D120F6X1SA3

osa: 565

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.1V @ 15A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC161D170HX1SA2

osa: 473

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1700V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 300A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 300A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

IDH12S60CAKSA1

osa: 542

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 12A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC14D60E6YX1SA1

osa: 550

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 30A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

MMBD914LT3HTMA1

osa: 5105

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 250mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 4ns,

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC02D60C6X1SA4

osa: 474

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.95V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC01D60C6

osa: 468

Diodityyppi: Standard, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC01D120H6

osa: 5086

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 600mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 600mA, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC81D120E6X1SA4

osa: 506

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SDT05S60

osa: 494

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 5A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC30D120F6X1SA2

osa: 491

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.1V @ 35A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC08D120F6X1SA3

osa: 502

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 7A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.1V @ 7A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC81D120H6X1SA2

osa: 5071

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC03D60F6X1SA2

osa: 474

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

IDH16S60CAKSA1

osa: 466

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 16A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 16A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC14D60E6X1SA1

osa: 5128

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 30A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC56D120F6X1SA1

osa: 552

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 75A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.1V @ 75A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC56D60E6X1SA1

osa: 541

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Infineon Technologies

SIDC11D60SIC3

osa: 494

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 4A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

Infineon Technologies

SDT10S60

osa: 5047

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

Infineon Technologies

SDT10S30

osa: 246

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

Infineon Technologies

SDT12S60

osa: 204

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 12A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

Infineon Technologies

SDT04S60

osa: 197

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 4A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

Infineon Technologies

SDT06S60

osa: 227

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 6A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista