Diodit - Tasasuuntaajat - Single

D2700U45X122XOSA1

osa: 287

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 4500V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2900A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601NH90TXPSA1

osa: 324

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 9000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1790A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 5.5V @ 4000A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1961SH45TXPSA1

osa: 307

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 4500V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2380A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 2500A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601N85TXPSA1

osa: 304

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 8500V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3040A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IRD3CH9DD6

osa: 5330

IDP45E60XKSA1

osa: 38822

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 71A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2V @ 45A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

IDP23011XUMA1

osa: 34916

IDK04G65C5XTMA1

osa: 2364

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 4A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

IRD3CH53DB6

osa: 2397

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.7V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 270ns,

IDW16G65C5XKSA1

osa: 9090

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 16A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 16A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

IRD3CH9DB6

osa: 2378

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.7V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 154ns,

IRD3CH16DD6

osa: 2386

IDFW40E65D1EXKSA1

osa: 1902

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 42A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.1V @ 40A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 76ns,

IRD3CH42DD6

osa: 2407

IRD3CH101DD6

osa: 2319

IDW40E65D2FKSA1

osa: 30469

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 80A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 40A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

IRD3CH82DF6

osa: 2356

IRD3CH16DB6

osa: 2357

IRD3CH5BD6

osa: 5238

IDC08S60CEX1SA3

osa: 2424

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 8A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

IDH08G120C5XKSA1

osa: 10387

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.95V @ 8A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

IDK02G65C5XTMA1

osa: 2297

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 2A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

IDH20G65C5XKSA2

osa: 7574

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 20A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

IDL12G65C5XUMA1

osa: 2364

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 12A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

IRD3CH31DB6

osa: 2327

IDB10S60CATMA2

osa: 5332

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

IRD3CH42DB6

osa: 2339

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 75A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.7V @ 75A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 285ns,

IRD3CH82DD6

osa: 2324

IRD3CH11DB6

osa: 2369

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.7V @ 25A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 190ns,

IDK08G65C5XTMA1

osa: 2324

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 8A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

IRD3CH5DB6

osa: 5234

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.7V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 96ns,

IDP08E65D2XKSA1

osa: 68501

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 40ns,

IDL10G65C5XUMA1

osa: 2296

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

IDC04S60CEX1SA1

osa: 2355

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 4A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

IDK03G65C5XTMA1

osa: 2298

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 3A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

IDK05G65C5XTMA1

osa: 2285

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 5A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,