Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Single
IDH15S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH15S120AKSA1

osa: 889

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 15A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
IDD12SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD12SG60CXTMA1

osa: 20456

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.1V @ 12A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
IDH04SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH04SG60CXKSA1

osa: 817

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 4A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
IDH05S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH05S120AKSA1

osa: 891

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 5A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
IDH03SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH03SG60CXKSA1

osa: 855

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 3A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
IDH05SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH05SG60CXKSA1

osa: 839

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 5A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
IDH02SG120XKSA1
Infineon Technologies

IDH02SG120XKSA1

osa: 831

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 2A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
IDH10SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH10SG60CXKSA1

osa: 816

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.1V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
IDD06SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD06SG60CXTMA1

osa: 813

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 6A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
IDH10S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH10S120AKSA1

osa: 888

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
IDH08S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH08S120AKSA1

osa: 810

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 7.5A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 7.5A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
IDH12SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH12SG60CXKSA1

osa: 900

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.1V @ 12A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
IDB06S60C
Infineon Technologies

IDB06S60C

osa: 5151

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 6A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
IDD08SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD08SG60CXTMA1

osa: 811

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.1V @ 8A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
IDH06SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH06SG60CXKSA1

osa: 5122

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 6A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
IDV02S60CXKSA1
Infineon Technologies

IDV02S60CXKSA1

osa: 828

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 2A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
IDH09SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH09SG60CXKSA1

osa: 812

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 9A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.1V @ 9A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
IDB10S60C
Infineon Technologies

IDB10S60C

osa: 875

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
IDD04SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD04SG60CXTMA1

osa: 834

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5.6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 4A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
IDH06S60CAKSA1
Infineon Technologies

IDH06S60CAKSA1

osa: 502

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 6A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
SIDC06D60C6
Infineon Technologies

SIDC06D60C6

osa: 477

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.95V @ 20A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SIDC78D170HX1SA1
Infineon Technologies

SIDC78D170HX1SA1

osa: 521

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1700V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 150A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
IDH04S60CAKSA1
Infineon Technologies

IDH04S60CAKSA1

osa: 556

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 4A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
SIDC09D60E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC09D60E6X1SA1

osa: 552

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 150ns,

Toivomuslista
SIDC30D60E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC30D60E6X1SA1

osa: 571

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 75A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 75A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SIDC73D170E6X1SA2
Infineon Technologies

SIDC73D170E6X1SA2

osa: 517

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1700V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.15V @ 100A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SIDC16D60SIC3
Infineon Technologies

SIDC16D60SIC3

osa: 502

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 5A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
SIDC56D120E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC56D120E6X1SA1

osa: 5106

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 75A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 75A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SIDC23D120F6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC23D120F6X1SA1

osa: 552

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.1V @ 25A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SIDC09D60E6YX1SA1
Infineon Technologies

SIDC09D60E6YX1SA1

osa: 523

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 150ns,

Toivomuslista
SIDC08D60C6Y
Infineon Technologies

SIDC08D60C6Y

osa: 497

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.95V @ 30A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SIDC14D60C6Y
Infineon Technologies

SIDC14D60C6Y

osa: 543

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 50A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SIDC08D120H6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC08D120H6X1SA1

osa: 504

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 10A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SIDC56D170E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC56D170E6X1SA1

osa: 577

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1700V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 75A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.15V @ 75A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SIDC09D60E6 UNSAWN
Infineon Technologies

SIDC09D60E6 UNSAWN

osa: 518

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 150ns,

Toivomuslista
SIDC02D60F6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC02D60F6X1SA1

osa: 525

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista