Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - FETit, MOSFETit - Single
IPW65R280C6FKSA1
Infineon Technologies

IPW65R280C6FKSA1

osa: 30026

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 13.8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

Toivomuslista
IPP65R660CFDXKSA1
Infineon Technologies

IPP65R660CFDXKSA1

osa: 71639

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

Toivomuslista
SN7002NH6327XTSA1
Infineon Technologies

SN7002NH6327XTSA1

osa: 1468

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista
IPD122N10N3GBTMA1
Infineon Technologies

IPD122N10N3GBTMA1

osa: 1414

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 59A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12.2 mOhm @ 46A, 10V,

Toivomuslista
IPB65R600C6ATMA1
Infineon Technologies

IPB65R600C6ATMA1

osa: 96627

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Toivomuslista
IPL60R210P6AUMA1
Infineon Technologies

IPL60R210P6AUMA1

osa: 57470

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 19.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 7.6A, 10V,

Toivomuslista
IPB039N04LGATMA1
Infineon Technologies

IPB039N04LGATMA1

osa: 1437

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 80A, 10V,

Toivomuslista
IPN50R1K4CEATMA1
Infineon Technologies

IPN50R1K4CEATMA1

osa: 181536

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 900mA, 13V,

Toivomuslista
IPW65R190C6FKSA1
Infineon Technologies

IPW65R190C6FKSA1

osa: 24551

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

Toivomuslista
IPP90N04S402AKSA1
Infineon Technologies

IPP90N04S402AKSA1

osa: 1192

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 90A, 10V,

Toivomuslista
IPW65R310CFDFKSA1
Infineon Technologies

IPW65R310CFDFKSA1

osa: 32469

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11.4A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 4.4A, 10V,

Toivomuslista
IPN50R3K0CEATMA1
Infineon Technologies

IPN50R3K0CEATMA1

osa: 109700

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 400mA, 13V,

Toivomuslista
IRFH7107TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH7107TR2PBF

osa: 1447

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 45A, 10V,

Toivomuslista
IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies

IPN70R600P7SATMA1

osa: 130801

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 700V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 1.8A, 10V,

Toivomuslista
IRFR4620TRLPBF
Infineon Technologies

IRFR4620TRLPBF

osa: 102980

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista
IPD530N15N3GBTMA1
Infineon Technologies

IPD530N15N3GBTMA1

osa: 1479

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 150V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 18A, 10V,

Toivomuslista
IRLML6244TRPBF
Infineon Technologies

IRLML6244TRPBF

osa: 104946

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.3A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 6.3A, 4.5V,

Toivomuslista
IPB072N15N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies

IPB072N15N3GE8187ATMA1

osa: 1460

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 150V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 100A, 10V,

Toivomuslista
IPB65R660CFDATMA1
Infineon Technologies

IPB65R660CFDATMA1

osa: 6165

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

Toivomuslista
IPN80R750P7ATMA1
Infineon Technologies

IPN80R750P7ATMA1

osa: 9916

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2.7A, 10V,

Toivomuslista
IPD038N04NGBTMA1
Infineon Technologies

IPD038N04NGBTMA1

osa: 1444

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 90A, 10V,

Toivomuslista
IPB230N06L3GATMA1
Infineon Technologies

IPB230N06L3GATMA1

osa: 1420

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista
IRL2910PBF
Infineon Technologies

IRL2910PBF

osa: 30729

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 29A, 10V,

Toivomuslista
IPI65R600C6XKSA1
Infineon Technologies

IPI65R600C6XKSA1

osa: 76220

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Toivomuslista
IPN70R2K0P7SATMA1
Infineon Technologies

IPN70R2K0P7SATMA1

osa: 9932

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 700V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista
IPP120N04S402AKSA1
Infineon Technologies

IPP120N04S402AKSA1

osa: 1208

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 100A, 10V,

Toivomuslista
IPP65R280C6XKSA1
Infineon Technologies

IPP65R280C6XKSA1

osa: 48437

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 13.8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

Toivomuslista
IPI65R110CFDXKSA1
Infineon Technologies

IPI65R110CFDXKSA1

osa: 19795

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 31.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12.7A, 10V,

Toivomuslista
IPL60R085P7AUMA1
Infineon Technologies

IPL60R085P7AUMA1

osa: 9982

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 11.8A, 10V,

Toivomuslista
IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies

IPN80R2K4P7ATMA1

osa: 9955

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 800mA, 10V,

Toivomuslista
IPB60R950C6ATMA1
Infineon Technologies

IPB60R950C6ATMA1

osa: 1419

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 1.5A, 10V,

Toivomuslista
IPB009N03LGATMA1
Infineon Technologies

IPB009N03LGATMA1

osa: 9903

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 100A, 10V,

Toivomuslista
IPD90R1K2C3BTMA1
Infineon Technologies

IPD90R1K2C3BTMA1

osa: 1460

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V,

Toivomuslista
IRFI4410ZGPBF
Infineon Technologies

IRFI4410ZGPBF

osa: 1390

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 26A, 10V,

Toivomuslista
IPB65R380C6ATMA1
Infineon Technologies

IPB65R380C6ATMA1

osa: 70807

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10.6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 10V,

Toivomuslista
IPD65R380E6BTMA1
Infineon Technologies

IPD65R380E6BTMA1

osa: 93019

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10.6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 10V,

Toivomuslista