| Tyyppi | Kuvaus |
| Osan tila | Obsolete |
|---|---|
| FET-tyyppi | N-Channel |
| Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 650V |
| Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 31.2A (Tc) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
| Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 118nC @ 10V |
| Vgs (enintään) | ±20V |
| Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 3240pF @ 100V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehohäviö (maks.) | 277.8W (Tc) |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Toimittajalaitepaketti | PG-TO262-3 |
| Pakkaus / kotelo | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
|---|---|
| Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
| Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
| Varastoluokka | Saatavilla |
