Menu
SuomiSuomi
0RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - FETit, MOSFETit - Single
IRF7749L2TR1PBF
Infineon Technologies

IRF7749L2TR1PBF

osa: 906

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 33A (Ta), 375A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 120A, 10V,

Toivomuslista
IRFHS8342TR2PBF
Infineon Technologies

IRFHS8342TR2PBF

osa: 1060

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Ta), 19A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8.5A, 10V,

Toivomuslista
IPP90N06S404AKSA1
Infineon Technologies

IPP90N06S404AKSA1

osa: 945

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 90A, 10V,

Toivomuslista
IRF3707ZCSTRRP
Infineon Technologies

IRF3707ZCSTRRP

osa: 975

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 59A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 21A, 10V,

Toivomuslista
IRF6616TR1PBF
Infineon Technologies

IRF6616TR1PBF

osa: 1006

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 106A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 19A, 10V,

Toivomuslista
IPD60R2K0C6BTMA1
Infineon Technologies

IPD60R2K0C6BTMA1

osa: 1029

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 760mA, 10V,

Toivomuslista
IPB120N06S403ATMA1
Infineon Technologies

IPB120N06S403ATMA1

osa: 944

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 100A, 10V,

Toivomuslista
IPI45N06S409AKSA1
Infineon Technologies

IPI45N06S409AKSA1

osa: 927

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 45A, 10V,

Toivomuslista
IPW65R048CFDAFKSA1
Infineon Technologies

IPW65R048CFDAFKSA1

osa: 4425

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 63.3A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 29.4A, 10V,

Toivomuslista
IPI120N06S402AKSA1
Infineon Technologies

IPI120N06S402AKSA1

osa: 48204

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 100A, 10V,

Toivomuslista
IRF7220GTRPBF
Infineon Technologies

IRF7220GTRPBF

osa: 971

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 14V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 11A, 4.5V,

Toivomuslista
IRLU8259PBF
Infineon Technologies

IRLU8259PBF

osa: 971

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 57A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 21A, 10V,

Toivomuslista
IRFH5303TRPBF
Infineon Technologies

IRFH5303TRPBF

osa: 6156

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), 82A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 49A, 10V,

Toivomuslista
IRFR1018ETRRPBF
Infineon Technologies

IRFR1018ETRRPBF

osa: 915

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 47A, 10V,

Toivomuslista
IRF7811WGTRPBF
Infineon Technologies

IRF7811WGTRPBF

osa: 980

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 4.5V,

Toivomuslista
IRFHM9331TR2PBF
Infineon Technologies

IRFHM9331TR2PBF

osa: 927

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 24A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11A, 20V,

Toivomuslista
IPD60R380C6
Infineon Technologies

IPD60R380C6

osa: 927

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10.6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.8A, 10V,

Toivomuslista
IRFHM830DTRPBF
Infineon Technologies

IRFHM830DTRPBF

osa: 1013

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
IRF9310PBF
Infineon Technologies

IRF9310PBF

osa: 39394

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
IRFH5004TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH5004TR2PBF

osa: 6131

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista
IRFH5215TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH5215TR2PBF

osa: 1150

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 150V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), 27A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 16A, 10V,

Toivomuslista
IRF7759L2TR1PBF
Infineon Technologies

IRF7759L2TR1PBF

osa: 883

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 26A (Ta), 375A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 96A, 10V,

Toivomuslista
IRF6728MTRPBF
Infineon Technologies

IRF6728MTRPBF

osa: 1011

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), 140A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 23A, 10V,

Toivomuslista
IPP45N06S4L08AKSA1
Infineon Technologies

IPP45N06S4L08AKSA1

osa: 936

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 45A, 10V,

Toivomuslista
IRF6614TR1
Infineon Technologies

IRF6614TR1

osa: 988

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12.7A (Ta), 55A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 12.7A, 10V,

Toivomuslista
IRF1405ZL-7PPBF
Infineon Technologies

IRF1405ZL-7PPBF

osa: 978

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 88A, 10V,

Toivomuslista
IRFP3415PBF
Infineon Technologies

IRFP3415PBF

osa: 22736

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 150V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 22A, 10V,

Toivomuslista
IPD90N06S4L03ATMA1
Infineon Technologies

IPD90N06S4L03ATMA1

osa: 944

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 90A, 10V,

Toivomuslista
IPP90N06S4L04AKSA1
Infineon Technologies

IPP90N06S4L04AKSA1

osa: 885

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 90A, 10V,

Toivomuslista
IRFSL4229PBF
Infineon Technologies

IRFSL4229PBF

osa: 917

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 26A, 10V,

Toivomuslista
IRFB3607GPBF
Infineon Technologies

IRFB3607GPBF

osa: 1058

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V,

Toivomuslista
IRF7700TRPBF
Infineon Technologies

IRF7700TRPBF

osa: 1004

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8.6A, 4.5V,

Toivomuslista
IPA60R520E6XKSA1
Infineon Technologies

IPA60R520E6XKSA1

osa: 6182

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.1A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 2.8A, 10V,

Toivomuslista
SPD30N03S2L07GBTMA1
Infineon Technologies

SPD30N03S2L07GBTMA1

osa: 977

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista
IRL8113STRLPBF
Infineon Technologies

IRL8113STRLPBF

osa: 958

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 105A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 21A, 10V,

Toivomuslista
IPB180N06S4H1ATMA1
Infineon Technologies

IPB180N06S4H1ATMA1

osa: 965

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 100A, 10V,

Toivomuslista