Diodit - sillan tasasuuntaajat

VUB50-16PO1

osa: 2129

Diodityyppi: Three Phase (Braking), Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 56A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 45A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 200µA @ 1600V,

Toivelistaan

VUO18-12DT8

osa: 4260

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.85V @ 55A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300µA @ 1200V,

Toivelistaan

FBE22-06N1

osa: 9428

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.13V @ 11A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 60µA @ 600V,

Toivelistaan

DMA150YA1600NA

osa: 3681

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.21V @ 50A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1600V,

Toivelistaan

VUB160-16NO2

osa: 825

Diodityyppi: Three Phase (Braking), Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 188A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.7V @ 30A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1600V,

Toivelistaan

VGB0124AY7A

osa: 739

Diodityyppi: Single Phase (Braking), Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A,

Toivelistaan

PB3508-E3/45

osa: 25165

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivelistaan

DF04S-E3/77

osa: 199839

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan

KBU8B-E4/51

osa: 19392

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivelistaan

VS-90MT140KPBF

osa: 1249

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 90A,

Toivelistaan

GSIB2540-E3/45

osa: 33145

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan

VS-GBPC3506A

osa: 11457

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2mA @ 600V,

Toivelistaan

GBU4B-E3/51

osa: 47916

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan

GBU4G-E3/45

osa: 97126

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan

GeneSiC Semiconductor

GBU10D

osa: 42394

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan

GeneSiC Semiconductor

KBU6D

osa: 50592

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan

ON Semiconductor

GBPC1501W

osa: 1405

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan

ON Semiconductor

GBPC2502W

osa: 25165

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan

CBRLDSH2-40 TR13

osa: 108966

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 40V,

Toivelistaan

CBR1F-D080

osa: 8757

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivelistaan

CBRLD1-02 TR13

osa: 128903

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan

CBRSDSH2-100 TR13

osa: 107097

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50µA @ 100V,

Toivelistaan

SMC Diode Solutions

KBP206GTB

osa: 143658

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan

SMC Diode Solutions

GBJ2010TB

osa: 62156

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 20A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan

Comchip Technology

DF04S-G

osa: 166483

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan

Comchip Technology

GBPC5008-G

osa: 20926

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivelistaan

KBPF307G B0G

osa: 8775

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan

TS25P05G-K D2G

osa: 8851

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan

KBP306G C2G

osa: 8828

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivelistaan

KBPF205G B0G

osa: 8809

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan

YBS2206G RAG

osa: 9944

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 970mV @ 2.2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan

KBP102G C2

osa: 8763

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivelistaan