Diodit - sillan tasasuuntaajat

GBU8J

osa: 42609

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan

GBPC1204W

osa: 26389

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan

DBF20G

osa: 8905

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 700mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan

DFB2540

osa: 28900

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan

GBPC2510

osa: 4713

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan

GBPC1502

osa: 25153

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan

VS-2KBB20R

osa: 50563

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.9A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.9A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan

VS-1KAB100E

osa: 48846

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivelistaan

GBU6D-E3/51

osa: 85892

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan

G2SB80-M3/51

osa: 8806

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 750mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan

GBPC608-E4/51

osa: 35460

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan

VS-1KAB20E

osa: 45213

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan

GSIB1540-E3/45

osa: 41432

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan

MB2S-E3/45

osa: 159249

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan

VS-100MT160P-P

osa: 1412

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.51V @ 100A,

Toivelistaan

CBR1-D020

osa: 88248

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan

CBR1F-D060S

osa: 8824

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan

CBR1A-040

osa: 8816

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

CBR1-D020S TR13

osa: 145308

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan

Diodes Incorporated

GBJ602

osa: 8916

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan

Diodes Incorporated

GBJ2504-F

osa: 37647

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan

TS10KL80 D3G

osa: 5234

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

KBP154G C2G

osa: 8772

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

D2SB60 D2G

osa: 4811

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 15A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan

Comchip Technology

MMB10G-HF

osa: 8804

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 800mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan

Comchip Technology

CDBHD260-G

osa: 127010

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500µA @ 60V,

Toivelistaan

SMC Diode Solutions

GBJ606TB

osa: 78794

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan

SMC Diode Solutions

GBU410GTB

osa: 100378

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan

VBO160-14NO7

osa: 650

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 174A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.43V @ 300A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300µA @ 1400V,

Toivelistaan

VUB160-12NO2

osa: 852

Diodityyppi: Three Phase (Braking), Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 188A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.7V @ 30A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300µA @ 1200V,

Toivelistaan

VBO20-14NO2

osa: 3191

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 31A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 55A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300µA @ 1400V,

Toivelistaan

VUO64-16NO7

osa: 2264

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 60A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40µA @ 1600V,

Toivelistaan