Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

2SB1417APA

osa: 5290

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V,

2SC14730RA

osa: 138126

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 200V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

2SC39290RL

osa: 5282

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

2SC39350QL

osa: 5283

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 7.2mA, 2.4V,

2SB09760RA

osa: 5351

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 18V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V,

2SD14500SA

osa: 5353

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V,

2SD14500RA

osa: 5300

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

2SA17670QA

osa: 5368

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 1mA, 10mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

2SC24050RL

osa: 5316

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

2SD19790SL

osa: 5356

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 4mA, 2V,

2SC39390SA

osa: 5293

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 30mA, 300mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 185 @ 150mA, 10V,

2SD250400A

osa: 5301

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V,

2SA10220CL

osa: 5307

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V,

2SB07790RL

osa: 5337

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 2V,

2SC39350PL

osa: 6576

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 7.2mA, 2.4V,

2SC54190RA

osa: 5273

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

2SD1819ASL

osa: 5367

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V,

2SA216300A

osa: 5351

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V,

2SA216400L

osa: 5320

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V,

2SC39380QL

osa: 5332

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

2SD2345JSL

osa: 6570

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 600 @ 2mA, 10V,

2SD1820G0L

osa: 5316

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V,

2SD23210RA

osa: 5268

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V,

2SA204600L

osa: 5315

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 150mV @ 25mA, 500mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 2V,

2SD10300RL

osa: 5295

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 10V,

2SC5939G0L

osa: 5297

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 5mA, 4V,

2SB1218ASL

osa: 174652

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V,

2SD18210RL

osa: 5287

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 150V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V,

2SC593900L

osa: 5343

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 5mA, 4V,

2SD1819GRL

osa: 5313

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

2SC603600L

osa: 5331

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

2STF2280

osa: 5370

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

2STF1525

osa: 5357

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 3.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V,

2SC5232BTE85LF

osa: 5292

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

2SC4738-BL(TE85L,F

osa: 6617

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

2N5091

osa: 5308