Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

2SB0709A0L
Panasonic Electronic Components

2SB0709A0L

osa: 5437

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

Toivelistaan
2SB143400A
Panasonic Electronic Components

2SB143400A

osa: 5433

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 2V,

Toivelistaan
2SB1321A0A
Panasonic Electronic Components

2SB1321A0A

osa: 5460

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 10mA, 10V,

Toivelistaan
2SB1322A0A
Panasonic Electronic Components

2SB1322A0A

osa: 5467

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 10V,

Toivelistaan
2SB1219ASL
Panasonic Electronic Components

2SB1219ASL

osa: 5490

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V,

Toivelistaan
2N6724
ON Semiconductor

2N6724

osa: 5450

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V,

Toivelistaan
2N6726
ON Semiconductor

2N6726

osa: 5395

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

Toivelistaan
2N6714
ON Semiconductor

2N6714

osa: 6579

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

Toivelistaan
2N3014
ON Semiconductor

2N3014

osa: 5441

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 300nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

Toivelistaan
2N3108
ON Semiconductor

2N3108

osa: 5384

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA,1V,

Toivelistaan
2N2906A
ON Semiconductor

2N2906A

osa: 71797

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Toivelistaan
2N2369
ON Semiconductor

2N2369

osa: 5393

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

Toivelistaan
2N2221A
ON Semiconductor

2N2221A

osa: 71785

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Toivelistaan
2N5961
ON Semiconductor

2N5961

osa: 5420

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 2nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan
2N5830
ON Semiconductor

2N5830

osa: 5439

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan
2N5771
ON Semiconductor

2N5771

osa: 5732

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV,

Toivelistaan
2N5772
ON Semiconductor

2N5772

osa: 5387

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 3mA, 300mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

Toivelistaan
2N5682
ON Semiconductor

2N5682

osa: 5471

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V,

Toivelistaan
2N5550BU
ON Semiconductor

2N5550BU

osa: 6606

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 140V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan
2N5401BU
ON Semiconductor

2N5401BU

osa: 5419

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 150V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan
2N5323
ON Semiconductor

2N5323

osa: 5454

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 50mA, 500mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 4V,

Toivelistaan
2N5226
ON Semiconductor

2N5226

osa: 5437

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 10mA, 100mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Toivelistaan
2N5224
ON Semiconductor

2N5224

osa: 5407

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 3mA, 10mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

Toivelistaan
2N5088BU
ON Semiconductor

2N5088BU

osa: 179781

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V,

Toivelistaan
2N4402BU
ON Semiconductor

2N4402BU

osa: 5460

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

Toivelistaan
2N4400BU
ON Semiconductor

2N4400BU

osa: 5455

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V,

Toivelistaan
2N4125BU
ON Semiconductor

2N4125BU

osa: 5391

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

Toivelistaan
2N4208
ON Semiconductor

2N4208

osa: 5405

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 130mV @ 100µA, 1mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 300mV,

Toivelistaan
2N3962
ON Semiconductor

2N3962

osa: 5405

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan
2N4123BU
ON Semiconductor

2N4123BU

osa: 5451

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

Toivelistaan
2N3905BU
ON Semiconductor

2N3905BU

osa: 5413

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

Toivelistaan
2N6727
ON Semiconductor

2N6727

osa: 5472

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V,

Toivelistaan
2N6719
ON Semiconductor

2N6719

osa: 6614

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V,

Toivelistaan
2N6725
ON Semiconductor

2N6725

osa: 5448

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V,

Toivelistaan
2N6715
ON Semiconductor

2N6715

osa: 5467

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V,

Toivelistaan
2N3904PH
Vishay Semiconductor Diodes Division

2N3904PH

osa: 5410

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivelistaan