IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 250A, Teho - maks: 890W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 560A, Teho - maks: 1785W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Teho - maks: 176W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 1660W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Triple, Dual - Common Source, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 280A, Teho - maks: 890W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 185A, Teho - maks: 650W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Dual Boost Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 270W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 140A, Teho - maks: 595W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 416W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 230A, Teho - maks: 940W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 65A, Teho - maks: 220W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,
IGBT-tyyppi: NPT, Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Teho - maks: 176W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 940W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 170A, Teho - maks: 520W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 100A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Level Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 935W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 420A, Teho - maks: 1500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Dual Boost Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Teho - maks: 175W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 700A, Teho - maks: 2300W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Level Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 32A, Teho - maks: 62W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 225A, Teho - maks: 480W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Teho - maks: 208W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 550A, Teho - maks: 1750W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Level Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 480W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 560A, Teho - maks: 1785W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 65A, Teho - maks: 220W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 65A, Teho - maks: 220W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Asymmetrical Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 250A, Teho - maks: 890W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Asymmetrical Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 220A, Teho - maks: 690W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Triple, Dual - Common Source, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Teho - maks: 310W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Teho - maks: 260W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 312W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 340W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,
IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 440A, Teho - maks: 1250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,
