Transistorit - IGBT-moduulit

A1P35S12M3-F

osa: 164

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 35A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

APTCV60TLM70T3G

osa: 3129

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Level Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Teho - maks: 176W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

APTCV60TLM24T3G

osa: 835

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Level Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

APT150GN60J

osa: 2460

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 220A, Teho - maks: 536W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A,

APT50GLQ65JU2

osa: 758

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Boost Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Teho - maks: 220W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

APT100GN120J

osa: 2064

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 153A, Teho - maks: 446W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

APT200GT60JR

osa: 1912

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 195A, Teho - maks: 500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

APT100GT60JR

osa: 2919

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 148A, Teho - maks: 500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

APT100GT120JR

osa: 1736

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 123A, Teho - maks: 570W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

APT100GT60JRDQ4

osa: 2045

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 148A, Teho - maks: 500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

APTGF90H60T3G

osa: 1085

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Teho - maks: 416W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A,

APT100GN120JDQ4

osa: 1595

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 153A, Teho - maks: 446W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

APT50GF120JRDQ3

osa: 1110

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Teho - maks: 521W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A,

APT100GT120JRDQ4

osa: 1462

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 123A, Teho - maks: 570W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

APT60GF120JRDQ3

osa: 910

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 149A, Teho - maks: 625W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A,

APT60GA60JD60

osa: 2217

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 112A, Teho - maks: 356W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A,

APT45GP120JDQ2

osa: 1797

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 329W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A,

APTGL700SK120D3G

osa: 657

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 840A, Teho - maks: 3000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

APTGT300SK60G

osa: 974

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 430A, Teho - maks: 1150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

APTGT300DU120G

osa: 642

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Dual, Common Source, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 420A, Teho - maks: 1380W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

APTGT150DU120TG

osa: 1106

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Dual, Common Source, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 220A, Teho - maks: 690W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

APTGT35H120T3G

osa: 1698

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Teho - maks: 208W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

APTGT100TA120TPG

osa: 574

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 140A, Teho - maks: 480W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

APTGLQ25H120T2G

osa: 324

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 165W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A,

APTGT200A602G

osa: 1730

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 290A, Teho - maks: 625W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

APTGT300DA60D3G

osa: 1121

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 940W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

APTGT100DA60T1G

osa: 2638

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 340W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

APTGT300DU60G

osa: 576

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Dual, Common Source, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 430A, Teho - maks: 1150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

APTCV60HM45BT3G

osa: 1224

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Boost Chopper, Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

APTGT750U60D4G

osa: 762

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1000A, Teho - maks: 2300W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 800A,

APTGT100A120TG

osa: 1335

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 140A, Teho - maks: 480W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

APTGTQ100SK65T1G

osa: 313

Kokoonpano: Buck Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

APTGL240TL120G

osa: 511

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Level Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 305A, Teho - maks: 1000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

APTGLQ150A120TG

osa: 304

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 250A, Teho - maks: 750W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

AIM5C05B060NH

osa: 253

AIM5D10B060M1

osa: 212

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Teho - maks: 23W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A,