Transistorit - IGBT-moduulit

FF450R12ME4EB11BPSA1

osa: 96

DF400R07PE4R_B6

osa: 598

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 1100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A,

FS75R06KE3BOSA1

osa: 329

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

FD800R33KF2CNOSA1

osa: 762

Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Teho - maks: 9600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 800A,

FF1200R12KE3NOSA1

osa: 287

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Teho - maks: 5000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A,

FP40R12KE3GBOSA1

osa: 341

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Teho - maks: 210W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A,

FS200T12A1T4BOSA1

osa: 799

FS200R12A1T4H5BOMA1

osa: 233

FD-DF80R12W1H3_B52

osa: 251

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Teho - maks: 215W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

FP75R12KT4PB11BPSA1

osa: 139

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FS25R12KE3GBOSA1

osa: 317

Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Teho - maks: 145W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A,

FZ1000R33HE3BPSA1

osa: 3157

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1000A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 100A,

IFF450B12ME4PB11BPSA1

osa: 187

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 40W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A,

FS100R06KE3BOSA1

osa: 328

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 335W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

FZ1000R12KF5NDSA1

osa: 721

DDB6U180N16RRB11BPSA1

osa: 332

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 3 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 140A, Teho - maks: 515W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

FF1000R17IE4DB2BOSA1

osa: 374

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Teho - maks: 6250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A,

FF400R17KE4HOSA1

osa: 95

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A,

FP35R12KT4B16BOSA1

osa: 365

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Teho - maks: 210W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

FF200R12KT4HOSA1

osa: 141

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 320A, Teho - maks: 1100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A,

FP35R12W2T4PB11BPSA1

osa: 218

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 35A,

MII75-12A3

osa: 1248

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Teho - maks: 370W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

IXYN82N120C3

osa: 2401

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 105A, Teho - maks: 500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A,

MII100-12A3

osa: 1034

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 135A, Teho - maks: 560W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A,

MDI550-12A4

osa: 509

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 670A, Teho - maks: 2750W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 400A,

IXYN80N90C3H1

osa: 2095

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 115A, Teho - maks: 500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A,

CM150TL-24NF

osa: 235

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 890W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 150A,

CM150RX-12A

osa: 444

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 520W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

VS-GB50LP120N

osa: 1352

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 446W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A (Typ),

VS-100MT060WSP

osa: 1505

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 107A, Teho - maks: 403W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.49V @ 15V, 60A,

VS-GB300LH120N

osa: 478

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500A, Teho - maks: 1645W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 300A (Typ),

VS-GT120DA65U

osa: 233

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 167A, Teho - maks: 577W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A,

VS-GB200NH120N

osa: 244

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 420A, Teho - maks: 1562W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 200A (Typ),

VS-GA400TD60S

osa: 463

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 750A, Teho - maks: 1563W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.52V @ 15V, 400A,

VS-70MT060WSP

osa: 1343

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 96A, Teho - maks: 378W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A,

VS-GT200TP065N

osa: 791

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 221A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.12V @ 15V, 200A,