Transistorit - IGBT-moduulit

MKI100-12F8

osa: 563

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 125A, Teho - maks: 640W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 100A,

MID150-12A4

osa: 800

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 180A, Teho - maks: 760W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 100A,

MWI150-06A8

osa: 624

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 170A, Teho - maks: 515W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 150A,

MWI100-06A8

osa: 696

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 130A, Teho - maks: 410W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

MDI150-12A4

osa: 806

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 180A, Teho - maks: 760W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 100A,

IXGN400N60B3

osa: 183

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 430A, Teho - maks: 1000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 100A,

MUBW50-12A8

osa: 640

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 85A, Teho - maks: 350W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A,

IXGN200N60B3

osa: 2081

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 830W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A,

FF800R17KF6CB2NOSA2

osa: 843

FZ750R65KE3NOSA1

osa: 3106

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 750A, Teho - maks: 14500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 750A,

FF225R17ME4B11BOSA1

osa: 392

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 340A, Teho - maks: 1500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A,

FD1000R33HE3KBPSA1

osa: 755

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Dual Brake Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1000A, Teho - maks: 11500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1000A,

FZ2400R17HP4B2BOSA2

osa: 255

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4800A, Teho - maks: 13000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 2400A,

FF300R12ME4B11BPSA1

osa: 213

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 1600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

FS100R12KT4GPB11BPSA1

osa: 777

FS25R12KT3BOSA1

osa: 367

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Teho - maks: 145W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A,

FP15R12KT3BOSA1

osa: 390

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 18A, Teho - maks: 83.5W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A,

DF900R12IP4DBOSA1

osa: 404

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Teho - maks: 5100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A,

DF1400R12IP4DBOSA1

osa: 382

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1400A, Teho - maks: 7700W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 1400A,

FS75R07N2E4B11BOSA1

osa: 298

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A,

FF600R12IS4FBOSA1

osa: 743

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 3700W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 600A,

FS400R07A3E3H6BPSA1

osa: 268

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A,

DF900R12IP4DVBOSA1

osa: 333

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Teho - maks: 5100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A,

FF900R12IE4VPBOSA1

osa: 361

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A,

FF600R17KF6CB2NOSA1

osa: 648

FF650R17IE4DB2BOSA1

osa: 405

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Teho - maks: 4150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A,

FF300R07ME4B11BOSA1

osa: 243

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 390A, Teho - maks: 1100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A,

FD150R12RT4HOSA1

osa: 95

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 790W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A,

FP25R12KT4B16BOSA1

osa: 386

FF600R12ME4B73BPSA1

osa: 241

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1200A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A,

VS-GB55NA120UX

osa: 2574

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 84A, Teho - maks: 431W,

VS-GB150TH120N

osa: 254

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 1008W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 150A,

GHIS040A060S-A2

osa: 2665

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Teho - maks: 277W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A,

GSID200A120S3B1

osa: 869

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 1595W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 200A,

MG17300WB-BN4MM

osa: 346

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 375A, Teho - maks: 1650W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

CM100TU-24F

osa: 339

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,