Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

8ETU04
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETU04

osa: 150

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 60ns,

Toivelistaan
8TQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100STRL

osa: 128

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
8TQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRR

osa: 5547

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
8TQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRL

osa: 144

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
8EWS10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10STRL

osa: 184

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 8A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
8EWS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS12STRL

osa: 175

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 8A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
8EWS10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10S

osa: 175

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 8A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
8EWS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STRL

osa: 126

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 8A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
8EWS08STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STR

osa: 197

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 8A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
8EWF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10STRL

osa: 5071

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 270ns,

Toivelistaan
8EWF12STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12STR

osa: 126

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 270ns,

Toivelistaan
8EWF06STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STR

osa: 142

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivelistaan
8EWF06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STRR

osa: 182

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivelistaan
8EWF04STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRR

osa: 133

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivelistaan
8EWF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRL

osa: 164

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivelistaan
8EWF02STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STR

osa: 174

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivelistaan
8EWF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STRL

osa: 100

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivelistaan
8AF4NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF4NPP

osa: 131

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
8AF1RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF1RPP

osa: 115

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
8AF05RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05RPP

osa: 5075

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
8AF05NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05NPP

osa: 119

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
80EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS12

osa: 112

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 80A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.17V @ 80A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
80EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS08

osa: 133

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 80A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.17V @ 80A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
80EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF12

osa: 126

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 80A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.35V @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 480ns,

Toivelistaan
80EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF10

osa: 66

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 80A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.35V @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 480ns,

Toivelistaan
80EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF06

osa: 72

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 80A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 190ns,

Toivelistaan
80EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF02

osa: 115

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 80A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 190ns,

Toivelistaan
80EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF04

osa: 115

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 80A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 190ns,

Toivelistaan
8EWF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10S

osa: 68

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 270ns,

Toivelistaan
8EWF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12S

osa: 20

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 270ns,

Toivelistaan
8TQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100S

osa: 10015

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
8TQ080S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080S

osa: 9992

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
8TQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ060

osa: 10041

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
8TQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080

osa: 5059

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
8EWS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08S

osa: 10060

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 8A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
8EWF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06S

osa: 10034

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 140ns,

Toivelistaan