Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

6A60G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A60G B0G

osa: 168

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A100G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A100G R0G

osa: 160

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A20G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A20G R0G

osa: 125

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A40GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A40GHB0G

osa: 109

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A20GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A20GHA0G

osa: 171

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A05G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A05G A0G

osa: 135

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A05G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A05G B0G

osa: 108

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A20G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A20G A0G

osa: 128

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A40GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A40GHA0G

osa: 155

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A10G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A10G A0G

osa: 152

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A10G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A10G R0G

osa: 89

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A80G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A80G B0G

osa: 132

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A100GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A100GHB0G

osa: 112

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A60G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A60G A0G

osa: 103

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A05GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A05GHB0G

osa: 87

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A20GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A20GHB0G

osa: 161

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A80G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A80G R0G

osa: 147

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A20GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A20GHR0G

osa: 88

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A40G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A40G B0G

osa: 113

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A100G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A100G A0G

osa: 85

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A10GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A10GHR0G

osa: 173

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A20G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A20G B0G

osa: 130

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A05GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A05GHR0G

osa: 93

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A100GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A100GHA0G

osa: 104

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A80GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A80GHA0G

osa: 84

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A80GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A80GHR0G

osa: 167

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A80G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A80G A0G

osa: 117

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
60S6-TP
Micro Commercial Co

60S6-TP

osa: 178962

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A05-TP
Micro Commercial Co

6A05-TP

osa: 173757

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
60S10-TP
Micro Commercial Co

60S10-TP

osa: 111553

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
60S8-TP
Micro Commercial Co

60S8-TP

osa: 101486

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
60S2-TP
Micro Commercial Co

60S2-TP

osa: 109534

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
60S05-TP
Micro Commercial Co

60S05-TP

osa: 113691

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
6A8-TP
Micro Commercial Co

6A8-TP

osa: 199351

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
60S4-TP
Micro Commercial Co

60S4-TP

osa: 169154

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
66PQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

66PQ040

osa: 22499

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan