Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

1N5369BRLG
ON Semiconductor

1N5369BRLG

osa: 160710

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 51V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 27 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 38.8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A,

Toivelistaan
1N5380BRLG
ON Semiconductor

1N5380BRLG

osa: 135402

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 120V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 170 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 91.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A,

Toivelistaan
1N5383BRLG
ON Semiconductor

1N5383BRLG

osa: 177502

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 150V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 330 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 114V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A,

Toivelistaan
1N5374BRLG
ON Semiconductor

1N5374BRLG

osa: 159698

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 75V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 45 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 56V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A,

Toivelistaan
1N5356BRLG
ON Semiconductor

1N5356BRLG

osa: 189409

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 19V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 3 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 114V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A,

Toivelistaan
1N5245BTA
SMC Diode Solutions

1N5245BTA

osa: 145513

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 16 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 10.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5952B-13
Diodes Incorporated

1SMB5952B-13

osa: 166334

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 130V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 450 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 98.8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5940B-13
Diodes Incorporated

1SMB5940B-13

osa: 156649

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 53 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 32.7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5956B-13
Diodes Incorporated

1SMB5956B-13

osa: 130281

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 200V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 1200 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 152V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5951B-13
Diodes Incorporated

1SMB5951B-13

osa: 134419

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 120V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 380 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 91.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5932B-13
Diodes Incorporated

1SMB5932B-13

osa: 141863

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 550mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 14 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 15.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5945B-13
Diodes Incorporated

1SMB5945B-13

osa: 146555

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 68V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 120 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 51.7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5941B-13
Diodes Incorporated

1SMB5941B-13

osa: 188839

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 47V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 67 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 35.8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5943B-13
Diodes Incorporated

1SMB5943B-13

osa: 135473

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 56V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 86 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 42.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5935B-13
Diodes Incorporated

1SMB5935B-13

osa: 184654

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 550mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 23 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 20.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5933B-13
Diodes Incorporated

1SMB5933B-13

osa: 157023

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 550mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 16.7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5955B-13
Diodes Incorporated

1SMB5955B-13

osa: 140510

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 180V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 550mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 900 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 136.8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5948B-13
Diodes Incorporated

1SMB5948B-13

osa: 140777

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 91V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 200 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 69.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5926B-13
Diodes Incorporated

1SMB5926B-13

osa: 194394

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 5.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 8.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1N4753A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4753A R0G

osa: 55

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 50 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 27.4V,

Toivelistaan
1N4746AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4746AHR0G

osa: 69

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 50 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 13.7V,

Toivelistaan
1N4756AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4756AHR0G

osa: 70

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 47V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 35.8V,

Toivelistaan
1N4759AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759AHR0G

osa: 131

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 62V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 125 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 47.1V,

Toivelistaan
1N4762A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4762A R0G

osa: 70

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 82V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 200 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 62.2V,

Toivelistaan
1N4751A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4751A R0G

osa: 72

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 22.8V,

Toivelistaan
1N4749AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4749AHR0G

osa: 113

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 18.2V,

Toivelistaan
1N4757AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4757AHR0G

osa: 108

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 51V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 95 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 38.8V,

Toivelistaan
1N4755A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4755A R0G

osa: 102

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 70 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 32.7V,

Toivelistaan
1N4756A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4756A R0G

osa: 120

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 47V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 35.8V,

Toivelistaan
1N4747AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4747AHR0G

osa: 71

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 95 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 15.2V,

Toivelistaan
1N4754A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4754A R0G

osa: 77

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 29.7V,

Toivelistaan
1M180ZHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M180ZHR0G

osa: 100

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 180V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 1200 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 136.8V,

Toivelistaan
1N4764A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764A R0G

osa: 91

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 100V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 350 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 76V,

Toivelistaan
1N4741AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4741AHR0G

osa: 59

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 22 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 15.2V,

Toivelistaan
1N4760AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4760AHR0G

osa: 136

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 68V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 150 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 51.7V,

Toivelistaan
1N4760A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4760A R0G

osa: 121

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 68V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 150 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 51.7V,

Toivelistaan