Menu
SuomiSuomi
0RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

1SMB5934B-13
Diodes Incorporated

1SMB5934B-13

osa: 191049

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 550mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 19 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 18.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5954B-13
Diodes Incorporated

1SMB5954B-13

osa: 168979

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 160V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 700 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 121.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5944B-13
Diodes Incorporated

1SMB5944B-13

osa: 171382

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 62V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 47.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5949B-13
Diodes Incorporated

1SMB5949B-13

osa: 153317

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 100V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 250 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 76V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5953B-13
Diodes Incorporated

1SMB5953B-13

osa: 168713

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 150V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 600 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 114V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5950B-13
Diodes Incorporated

1SMB5950B-13

osa: 146512

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 110V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 300 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 83.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5938B-13
Diodes Incorporated

1SMB5938B-13

osa: 165381

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 550mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 38 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 27.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1SMB5947B-13
Diodes Incorporated

1SMB5947B-13

osa: 189550

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 82V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 160 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 62.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivelistaan
1N4752AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4752AHR0G

osa: 106

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 45 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 25.1V,

Toivelistaan
1N4745A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4745A R0G

osa: 94

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 12.2V,

Toivelistaan
1N4761A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4761A R0G

osa: 100

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 75V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 175 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 56V,

Toivelistaan
1N4750AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4750AHR0G

osa: 140

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 35 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 20.6V,

Toivelistaan
1M120ZHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M120ZHR0G

osa: 124

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 120V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 550 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 91.2V,

Toivelistaan
1N4743AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4743AHR0G

osa: 112

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 95 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 38.8V,

Toivelistaan
1N4753AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4753AHR0G

osa: 88

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 50 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 27.4V,

Toivelistaan
1N4748A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4748A R0G

osa: 87

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 23 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 16.7V,

Toivelistaan
1M130ZHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M130ZHR0G

osa: 70

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 130V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 700 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 98.8V,

Toivelistaan
1N4763A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4763A R0G

osa: 127

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 91V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 250 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 69.2V,

Toivelistaan
1N4745AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4745AHR0G

osa: 87

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 23 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 12.2V,

Toivelistaan
1M160ZHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M160ZHR0G

osa: 75

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 160V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 1100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 121.6V,

Toivelistaan
1N4751AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4751AHR0G

osa: 114

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 22.8V,

Toivelistaan
1N4759A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759A R0G

osa: 87

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 62V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 125 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 47.1V,

Toivelistaan
1N4740AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4740AHR0G

osa: 67

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 9 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 9.1V,

Toivelistaan
1N4742AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4742AHR0G

osa: 148

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 45 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 25.1V,

Toivelistaan
1M200ZHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M200ZHR0G

osa: 84

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 200V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 1500 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 152V,

Toivelistaan
1N4755AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4755AHR0G

osa: 148

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 70 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 32.7V,

Toivelistaan
1N4754AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4754AHR0G

osa: 61

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 1W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 29.7V,

Toivelistaan
1N5360BG
ON Semiconductor

1N5360BG

osa: 162743

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 25V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 4 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 19V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A,

Toivelistaan
1N5367BRLG
ON Semiconductor

1N5367BRLG

osa: 178166

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 32.7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A,

Toivelistaan
1N5361BRLG
ON Semiconductor

1N5361BRLG

osa: 185842

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 20.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A,

Toivelistaan
1N5373BRLG
ON Semiconductor

1N5373BRLG

osa: 114773

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 68V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 44 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 51.7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A,

Toivelistaan
1N5381BRLG
ON Semiconductor

1N5381BRLG

osa: 137142

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 130V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 190 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 98.8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A,

Toivelistaan
1N5375BRLG
ON Semiconductor

1N5375BRLG

osa: 144463

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 82V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 65 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 62.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A,

Toivelistaan
1N5347BRLG
ON Semiconductor

1N5347BRLG

osa: 117170

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 2 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 7.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A,

Toivelistaan
1N5358BRLG
ON Semiconductor

1N5358BRLG

osa: 183796

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 3.5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 16.7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A,

Toivelistaan
1N5340BRLG
ON Semiconductor

1N5340BRLG

osa: 147048

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 5W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 1 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A,

Toivelistaan