Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

FDD3510H

osa: 147680

FET-tyyppi: N and P-Channel, Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.3A, 2.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Toivelistaan

FDS6900AS

osa: 159056

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.9A, 8.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

FDS6898A

osa: 128074

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan

FDMB3900AN

osa: 118545

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

FDS6875

osa: 133470

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan

MCH6663-TL-W

osa: 154760

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, 4V Drive, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.8A, 1.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 188 mOhm @ 900mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,

Toivelistaan

FDS6912A

osa: 171009

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

FDMD86100

osa: 131

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Toivelistaan

NTLLD4951NFTWG

osa: 61646

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.5A, 6.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17.4 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Toivelistaan

US6K2TR

osa: 124293

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

EM6K33T2R

osa: 182538

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Toivelistaan

SP8M4FRATB

osa: 91

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 7A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

SP8K31FRATB

osa: 99

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

DMN6070SSD-13

osa: 104685

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

DMTH6016LSD-13

osa: 190248

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivelistaan

DMN2028UFDH-7

osa: 132521

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

DMG4822SSD-13

osa: 199433

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

DMG6898LSD-13

osa: 109166

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan

DMC6040SSD-13

osa: 146822

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.1A, 3.1A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

ZXMHC6A07N8TC

osa: 158542

FET-tyyppi: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.39A, 1.28A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

DMG6301UDW-7

osa: 168789

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 240mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan

DMC3016LDV-13

osa: 172087

FET-tyyppi: N and P-Channel Complementary, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), 15A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Toivelistaan

DMC2990UDJQ-7

osa: 147861

FET-tyyppi: N and P-Channel Complementary, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta), 310mA (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

Monolithic Power Systems Inc.

DMNH6042SSD-13

osa: 182552

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16.7A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

Microchip Technology

TC6321T-V/9U

osa: 64633

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA,

Toivelistaan

LN60A01ES-LF

osa: 77637

FET-tyyppi: 3 N-Channel, Common Gate, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 80mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 190 Ohm @ 10mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Toivelistaan

SI7923DN-T1-E3

osa: 101885

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

SI5902BDC-T1-E3

osa: 125159

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

SI5908DC-T1-GE3

osa: 118967

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

SIZ904DT-T1-GE3

osa: 140725

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12A, 16A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivelistaan

SI7923DN-T1-GE3

osa: 101842

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan