Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

SP8K32FRATB

osa: 80

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

HP8S36TB

osa: 130641

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 27A, 80A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 32A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

US6K1TR

osa: 126806

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

Toivelistaan

US6M2GTR

osa: 127

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.5A, 1A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA,

Toivelistaan

HS8K11TB

osa: 188805

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A, 11A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17.9 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Toivelistaan

TT8K2TR

osa: 164928

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

Toivelistaan

Panasonic Electronic Components

TT8M2TR

osa: 126279

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

Toivelistaan

FC8J33040L

osa: 178049

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 33V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 260µA,

Toivelistaan

ZXMN2088DE6TA

osa: 158779

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

DMC3025LDV-7

osa: 189831

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Toivelistaan

DMHC6070LSD-13

osa: 158503

FET-tyyppi: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.1A, 2.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

DMC3021LSDQ-13

osa: 112926

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.5A, 7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Toivelistaan

DMC3028LSDX-13

osa: 179812

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.5A, 5.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

ZXMN6A09DN8TA

osa: 63423

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

ECH8695R-TL-W

osa: 130870

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 24V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA,

Toivelistaan

FDMS3606S

osa: 103403

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 13A, 27A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA,

Toivelistaan

FW297-TL-2W

osa: 151817

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, 4V Drive, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,

Toivelistaan

FDMS3602AS

osa: 95320

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15A, 26A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

FDMC7208S

osa: 116029

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12A, 16A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

FDMS7600AS

osa: 69548

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12A, 22A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

FDMD8680

osa: 74712

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 66A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Toivelistaan

NVMD6P02R2G

osa: 115513

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Toivelistaan

FDMQ86530L

osa: 57140

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

SI4532DY

osa: 183986

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.9A, 3.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

NTLUD4C26NTAG

osa: 108

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.1A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Toivelistaan

SI4943BDY-T1-GE3

osa: 73684

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

SI6954ADQ-T1-E3

osa: 197681

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.1A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Toivelistaan

SI8900EDB-T2-E1

osa: 45537

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.4A, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1.1mA,

Toivelistaan