Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - esij&auml;n

UMG11NTR

osa: 165669

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

EMH1FHAT2R

osa: 58

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

UMF28NTR

osa: 191969

Transistorin tyyppi: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V,

Toivelistaan

UMH2NTN

osa: 169521

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

FMA3AT148

osa: 146985

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan

EMG4T2R

osa: 180870

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan

EMD12FHAT2R

osa: 131

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

PEMB9,115

osa: 118568

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

PEMB14,115

osa: 128104

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan

PEMD15,115

osa: 144691

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

PUMH24,115

osa: 161464

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 100 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 100 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

PQMD3Z

osa: 162860

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

PUMD18,115

osa: 106220

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

PUMB3,115

osa: 149940

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan

PEMB19,115

osa: 113975

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan

PQMH10Z

osa: 161839

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

PUMH14,115

osa: 150714

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan

PEMH7,115

osa: 174215

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan

PEMH13,315

osa: 164942

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

PEMH2,315

osa: 134301

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan

DME914C10R

osa: 177819

Transistorin tyyppi: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 12V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V,

Toivelistaan

DMC561010R

osa: 177019

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

DMC264060R

osa: 115255

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

DMA964070R

osa: 111905

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

DMA561000R

osa: 138014

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

Toshiba Semiconductor and Storage

DMA9610F0R

osa: 121078

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

RN4604(TE85L,F)

osa: 154

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1909FE(TE85L,F)

osa: 90

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1962TE85LF

osa: 121

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan

SMUN5113DW1T1G

osa: 148914

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

MUN5316DW1T1G

osa: 131393

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

NSVEMC2DXV5T1G

osa: 130286

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

NSVBC114YPDXV6T1G

osa: 182892

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan

NSBC114TDP6T5G

osa: 112312

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan