Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - esijän

IMB3AT110

IMB3AT110

osa: 126454

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan
EMH60T2R

EMH60T2R

osa: 156842

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan
FMG4AT148

FMG4AT148

osa: 154499

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan
EMD6T2R

EMD6T2R

osa: 195808

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan
UMH1NTN

UMH1NTN

osa: 133960

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
UMG2NTR

UMG2NTR

osa: 123458

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
DMG9640T0R

DMG9640T0R

osa: 193353

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan
DMG9640M0R

DMG9640M0R

osa: 100740

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan
DMG964010R

DMG964010R

osa: 178706

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan
DMA964060R

DMA964060R

osa: 131829

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan
DMC5610N0R

DMC5610N0R

osa: 149801

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan
DMC562000R

DMC562000R

osa: 181837

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan
DMA964010R

DMA964010R

osa: 104638

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan
DMA566060R

DMA566060R

osa: 151605

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan
RN1705JE(TE85L,F)

RN1705JE(TE85L,F)

osa: 82

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan
RN1907,LF(CT

RN1907,LF(CT

osa: 141738

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan
RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

osa: 102

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan
RN2608(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

osa: 98

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan
RN2605(TE85L,F)

RN2605(TE85L,F)

osa: 173

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan
RN1901FETE85LF

RN1901FETE85LF

osa: 106

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Toivelistaan
PEMB24,115

PEMB24,115

osa: 150947

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 100 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 100 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
PEMD30,115

PEMD30,115

osa: 163627

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Toivelistaan
PEMH17,115

PEMH17,115

osa: 165278

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
PUMB19,115

PUMB19,115

osa: 187032

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivelistaan
PBLS6005D,115

PBLS6005D,115

osa: 143507

Transistorin tyyppi: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 700mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 60V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V,

Toivelistaan
PUMB20,115

PUMB20,115

osa: 103619

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Toivelistaan
PQMH11Z

PQMH11Z

osa: 153896

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Toivelistaan
PBLS2024D,115

PBLS2024D,115

osa: 134800

Transistorin tyyppi: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 1.8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 20V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V,

Toivelistaan
PUMH30,115

PUMH30,115

osa: 187014

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Toivelistaan
SMUN5116DW1T1G

SMUN5116DW1T1G

osa: 119414

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan
SMUN5211DW1T1G

SMUN5211DW1T1G

osa: 152766

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan
NSVMUN5333DW1T3G

NSVMUN5333DW1T3G

osa: 107424

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan
SMUN5232DW1T1G

SMUN5232DW1T1G

osa: 125478

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan
EMG2DXV5T5G

EMG2DXV5T5G

osa: 175728

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan
NSB4904DW1T1G

NSB4904DW1T1G

osa: 119540

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan
SMUN5330DW1T1G

SMUN5330DW1T1G

osa: 197015

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 1 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 1 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Toivelistaan