Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

MBR15150CTHC0G

osa: 100

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1608PT C0G

osa: 121

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2535CTHC0G

osa: 135

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 820mV @ 12.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

SR10150 C0G

osa: 104

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1001 C0G

osa: 148

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF15100CT C0G

osa: 109

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 7.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

SR1640PTHC0G

osa: 95

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2035PT C0G

osa: 85

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3045CTHC0G

osa: 83

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 820mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L120CTHC0G

osa: 143

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1620CT C0G

osa: 126

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 975mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3050CT C0G

osa: 94

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 770mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20100PT C0G

osa: 129

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2560CT MNG

osa: 95

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 25A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF25150CT C0G

osa: 74

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.02V @ 25A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30150CTHC0G

osa: 115

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.02V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Sanken

FMX-4206S

osa: 40926

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Sanken

MPL-102SVR

osa: 80794

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 980mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB3045CTR-M3

osa: 78011

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 760mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ10FNHM3

osa: 81440

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 960mV @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

V6KL45DUHM3/I

osa: 118437

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 540mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8CSH02HM3/86A

osa: 185066

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ06FN-M3

osa: 187229

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 610mV @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2035CT-M3

osa: 101507

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2045CT-1-M3

osa: 99402

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10CSH02-M3/87A

osa: 179933

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 980V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ100-1-M3

osa: 86626

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 860mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

GeneSiC Semiconductor

MSRT250160(A)

osa: 1410

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 250A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 250A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Panasonic Electronic Components

DB3S314F0L

osa: 152564

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 30mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

MBR3050CTE3/TU

osa: 83420

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Comchip Technology

C3045CT-G

osa: 80

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

STMicroelectronics

STTH2002CR

osa: 34228

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

STMicroelectronics

STTH16R04CG-TR

osa: 73963

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Rohm Semiconductor

RB238NS150FHTL

osa: 88

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Rohm Semiconductor

RB095BGE-60TL

osa: 69

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 3A,

Toivelistaan

ON Semiconductor

NRVHP8H200MFDT3G

osa: 131

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 910mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan