Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

RB088NS150FHTL
Rohm Semiconductor

RB088NS150FHTL

osa: 107

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
DAP222MFHT2L
Rohm Semiconductor

DAP222MFHT2L

osa: 142

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
DB3J406N0L
Panasonic Electronic Components

DB3J406N0L

osa: 168202

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 75mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
ND412426
Powerex Inc.

ND412426

osa: 171

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 2400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 260A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.35V @ 1500A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
ND410635
Powerex Inc.

ND410635

osa: 119

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 350A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1000A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBRF1550CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1550CTHC0G

osa: 138

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 7.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
UGF1005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1005GHC0G

osa: 132

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
SRS2090 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2090 MNG

osa: 169

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 90V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
GP1603 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1603 C0G

osa: 74

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 8A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
UGF2004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2004G C0G

osa: 113

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBR10L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10L100CTHC0G

osa: 132

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 850mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBR10100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10100CTHC0G

osa: 141

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
GP1606 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1606 C0G

osa: 79

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 8A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBRF15150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF15150CT C0G

osa: 107

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 7.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBRS20100CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20100CT-Y MNG

osa: 113

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 850mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBRF1050CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1050CTHC0G

osa: 98

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBR2090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2090CT C0G

osa: 82

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 90V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBR20L120CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20L120CT C0G

osa: 68

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
SRF16100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF16100HC0G

osa: 160

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBRS1550CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1550CTHMNG

osa: 117

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 7.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBRS4060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS4060CT MNG

osa: 120

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 40A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
UGF1006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1006GHC0G

osa: 130

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
GP1001HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1001HC0G

osa: 92

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBR2550CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2550CT C0G

osa: 111

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 25A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
SRS1090HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1090HMNG

osa: 160

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 90V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBRS25150CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS25150CT MNG

osa: 144

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.02V @ 25A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
VS-20CTQ150STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ150STRRHM3

osa: 52621

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
VS-15CTQ040-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ040-1-M3

osa: 115878

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 7.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 7.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
VS-43CTQ100STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-43CTQ100STRLHM3

osa: 41679

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
SS12P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P4C-M3/87A

osa: 176480

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 520mV @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
VS-MBRB20100CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB20100CTR-M3

osa: 76898

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
VS-16CTQ100S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ100S-M3

osa: 87159

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MSRT25080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT25080(A)

osa: 1344

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 250A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 250A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MSRTA40080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA40080(A)

osa: 1195

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 400A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 400A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
TBAV70,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV70,LM

osa: 171499

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 215mA, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBRF20200CT-JT
Diodes Incorporated

MBRF20200CT-JT

osa: 102317

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 890mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan