Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

VS-16CTQ080S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ080S-M3

osa: 85835

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
VS-43CTQ100-011HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-43CTQ100-011HN3

osa: 40430

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
VS-15CTQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ035STRR-M3

osa: 91136

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 7.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 7.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
VS-32CTQ025STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ025STRLHM3

osa: 52402

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 25V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 490mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
VS-MBRD650CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD650CTTR-M3

osa: 159302

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
VS-4CSH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH01-M3/86A

osa: 186384

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
VS-32CTQ030STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ030STRLHM3

osa: 52472

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 490mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
VS-32CTQ025-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ025-1HM3

osa: 63269

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 25V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 490mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
SS8P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P4CHM3_A/I

osa: 180307

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
VS-6CWQ03FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ03FNTRL-M3

osa: 169876

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 520mV @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MSRT250120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT250120(A)

osa: 1374

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 250A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 250A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBR60040CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTR

osa: 665

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 300A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBRF10L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10L100CT C0G

osa: 149

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 850mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBR1560CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1560CTHC0G

osa: 160

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 7.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBRF2090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2090CT C0G

osa: 130

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 90V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBRF20100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20100CTHC0G

osa: 73

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
UGF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2005GHC0G

osa: 106

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
SR20150PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20150PTHC0G

osa: 156

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
SR1620HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1620HC0G

osa: 104

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
HER1004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1004G C0G

osa: 130

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBRF20150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20150CTHC0G

osa: 78

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBR10L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10L100CT C0G

osa: 119

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 850mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBR1545CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1545CT C0G

osa: 96

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
SR10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR10100HC0G

osa: 107

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 850mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBR15150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR15150CT C0G

osa: 128

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
SRS16100HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS16100HMNG

osa: 79

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
MBRF2535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2535CT C0G

osa: 145

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 820mV @ 12.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
GP1601 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1601 C0G

osa: 106

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 8A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
FERD40M45CG-TR
STMicroelectronics

FERD40M45CG-TR

osa: 94309

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: FERD (Field Effect Rectifier Diode), Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
STTH2003CGY-TR
STMicroelectronics

STTH2003CGY-TR

osa: 51763

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FTE85LF

osa: 146

Diodin kokoonpano: 3 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 80mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
CDBD20100-HF
Comchip Technology

CDBD20100-HF

osa: 101509

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 850mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
CDBT-70C-G
Comchip Technology

CDBT-70C-G

osa: 156683

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 70mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 15mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
CDBV3-54S-G
Comchip Technology

CDBV3-54S-G

osa: 124599

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
CDBD10200-G
Comchip Technology

CDBD10200-G

osa: 119712

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
NRVHP420MFDWFT1G
ON Semiconductor

NRVHP420MFDWFT1G

osa: 80

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan