Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

RF1601NS2DFHTL

osa: 163

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 930mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Rohm Semiconductor

RB425DFHT146

osa: 116312

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 50mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15100CT MNG

osa: 148

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 7.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1660HMNG

osa: 111

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1008G C0G

osa: 164

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1050CT C0G

osa: 73

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

UG1004GHC0G

osa: 112

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF20100HC0G

osa: 121

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

SR1660PTHC0G

osa: 119

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20150CT-Y MNG

osa: 153

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 990mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1090CT MNG

osa: 94

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 90V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1090HC0G

osa: 131

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 90V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

UG1004G C0G

osa: 100

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1607 C0G

osa: 141

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 8A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2050 C0G

osa: 138

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

SR20150 C0G

osa: 139

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

SR2040 C0G

osa: 78

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P2CL-M3/86A

osa: 116820

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 540mV @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB4045CTRHM3

osa: 51216

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ06FNTRHM3

osa: 83406

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 610mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ10FNTRR-M3

osa: 179327

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 12A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2090CTHM3

osa: 87641

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 90V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P6C-M3/87A

osa: 156747

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ10FNTRLHM3

osa: 81352

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L40CW-N3

osa: 11518

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 530mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3C-M3/87A

osa: 190422

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10KM120DU-M3/H

osa: 164483

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 890mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P4CHM3_A/H

osa: 156818

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 520mV @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CTHM3

osa: 87595

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3CLHM3_A/I

osa: 123071

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 530mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

MBR3045CTE3/TU

osa: 83378

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

STMicroelectronics

STTH602CBY-TR

osa: 175500

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV99,LM

osa: 196401

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan

Panasonic Electronic Components

DA37102D0L

osa: 124296

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan

Nexperia USA Inc.

PMEG3020CPA,115

osa: 189780

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 440mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

GeneSiC Semiconductor

MSRTA500120(A)

osa: 811

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 500A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan