Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

APT2X61DQ60J

osa: 3789

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT15D60BCTG

osa: 21444

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT2X30D60J

osa: 4152

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT2X100DQ100J

osa: 3296

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.7V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT15D100BCTG

osa: 17440

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT30D40BCTG

osa: 10774

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT2X31D40J

osa: 4070

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT60D100LCTG

osa: 7231

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT2X30D20J

osa: 4061

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT2X60DQ100J

osa: 4327

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.8V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT2X31D30J

osa: 4123

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT15D40BCTG

osa: 21384

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT2X61D30J

osa: 3608

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT30S20BCTG

osa: 11061

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 45A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 850mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT2X60D100J

osa: 3002

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 55A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT60DQ100LCTG

osa: 10467

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT2X101DQ100J

osa: 2781

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.7V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT60D40LCTG

osa: 8028

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT2X61D40J

osa: 3276

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT2X100DQ120J

osa: 2629

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT2X30DQ120J

osa: 4008

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3.1V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT2X61DQ120J

osa: 3039

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3.1V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT2X101DL40J

osa: 2799

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.125V @ 100A, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT60S20B2CTG

osa: 7322

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 75A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APT2X31D60J

osa: 309

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTDF400AA120G

osa: 1110

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 470A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3V @ 400A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTDF400AK60G

osa: 1164

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2V @ 400A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTDF400AA60G

osa: 1223

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2V @ 400A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTDF400AA170G

osa: 803

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1700V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 480A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 400A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTDF400KK100G

osa: 1161

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.7V @ 400A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTDF400AK20G

osa: 1158

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 400A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTDF400AK120G

osa: 930

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 470A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3V @ 400A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTDF400AK170G

osa: 896

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1700V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 480A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 400A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTDF400AA100G

osa: 1169

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.7V @ 400A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTDF400KK60G

osa: 812

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2V @ 400A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTDF400KK120G

osa: 985

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 470A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3V @ 400A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan