Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

80CNQ035ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ035ASM

osa: 3642

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 520mV @ 40A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
81CNQ035ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035ASM

osa: 3654

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 740mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
81CNQ035ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035ASL

osa: 3668

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 740mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
80CPQ020
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CPQ020

osa: 3686

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 460mV @ 40A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
85CNQ015A
Vishay Semiconductor Diodes Division

85CNQ015A

osa: 3599

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 15V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
82CNQ030ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030ASL

osa: 3616

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
83CNQ100A
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ100A

osa: 3587

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
82CNQ030A
Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030A

osa: 3557

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
80CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045ASL

osa: 3588

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 520mV @ 40A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
80CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045A

osa: 3592

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 520mV @ 40A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT30D30BCTG
Microsemi Corporation

APT30D30BCTG

osa: 10437

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APTDF400KK170G
Microsemi Corporation

APTDF400KK170G

osa: 532

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1700V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 480A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 400A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT2X30D100J
Microsemi Corporation

APT2X30D100J

osa: 3175

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 28A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT2X31D20J
Microsemi Corporation

APT2X31D20J

osa: 3498

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT2X30DQ60J
Microsemi Corporation

APT2X30DQ60J

osa: 3829

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.2V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT2X61DQ100J
Microsemi Corporation

APT2X61DQ100J

osa: 3118

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.8V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT2X101D30J
Microsemi Corporation

APT2X101D30J

osa: 2748

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT2X21DC60J
Microsemi Corporation

APT2X21DC60J

osa: 1164

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 20A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivelistaan
APT2X60D60J
Microsemi Corporation

APT2X60D60J

osa: 3356

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT2X100DQ60J
Microsemi Corporation

APT2X100DQ60J

osa: 3407

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.2V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT2X31D120J
Microsemi Corporation

APT2X31D120J

osa: 2782

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT2X50DC60J
Microsemi Corporation

APT2X50DC60J

osa: 739

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 50A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivelistaan
APTDF400KK20G
Microsemi Corporation

APTDF400KK20G

osa: 842

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 500A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 400A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT2X101D100J
Microsemi Corporation

APT2X101D100J

osa: 2286

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 95A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT30DQ120BCTG
Microsemi Corporation

APT30DQ120BCTG

osa: 179

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3.3V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT2X31D100J
Microsemi Corporation

APT2X31D100J

osa: 3191

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 28A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.3V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT2X61D120J
Microsemi Corporation

APT2X61D120J

osa: 2464

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 53A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT2X60D120J
Microsemi Corporation

APT2X60D120J

osa: 2442

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 53A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT2X61D20J
Microsemi Corporation

APT2X61D20J

osa: 3266

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT2X60DQ120J
Microsemi Corporation

APT2X60DQ120J

osa: 3220

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3.1V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT2X101D120J
Microsemi Corporation

APT2X101D120J

osa: 1994

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 93A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT2X151DL60J
Microsemi Corporation

APT2X151DL60J

osa: 2375

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 150A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT2X100D100J
Microsemi Corporation

APT2X100D100J

osa: 2278

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 95A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.5V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
APT30D20BCTG
Microsemi Corporation

APT30D20BCTG

osa: 14745

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivelistaan
ACDST-70-G
Comchip Technology

ACDST-70-G

osa: 114940

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan
ACDST-99-G
Comchip Technology

ACDST-99-G

osa: 123192

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivelistaan