Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF

UPA806T-T1-A
CEL

UPA806T-T1-A

osa: 7085

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6V, Taajuus - Siirtyminen: 12GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Saada: 8.5dB, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
NE68539-A
CEL

NE68539-A

osa: 7132

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6V, Taajuus - Siirtyminen: 12GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Saada: 11dB, Teho - maks: 180mW,

Toivelistaan
NE85630-R25-A
CEL

NE85630-R25-A

osa: 7170

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 4.5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Saada: 9dB, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
NE85633-T1B
CEL

NE85633-T1B

osa: 7019

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz, Saada: 9dB, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
NE68139R-T1-A
CEL

NE68139R-T1-A

osa: 7090

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 9GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz, Saada: 13.5dB, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
NE664M04-A
CEL

NE664M04-A

osa: 7160

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 5V, Taajuus - Siirtyminen: 20GHz, Saada: 12dB, Teho - maks: 735mW,

Toivelistaan
NE68039R-T1-A
CEL

NE68039R-T1-A

osa: 7064

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz ~ 4GHz, Saada: 6.5dB ~ 11dB, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
NE46134-AZ
CEL

NE46134-AZ

osa: 7181

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 5.5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Saada: 7dB, Teho - maks: 2W,

Toivelistaan
NE681M03-T1-A
CEL

NE681M03-T1-A

osa: 7160

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz, Teho - maks: 125mW,

Toivelistaan
UPA814T-T1-A
CEL

UPA814T-T1-A

osa: 7161

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6V, Taajuus - Siirtyminen: 9GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
NE68519-T1
CEL

NE68519-T1

osa: 7023

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6V, Taajuus - Siirtyminen: 12GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Saada: 7.5dB, Teho - maks: 125mW,

Toivelistaan
NE85639R-T1
CEL

NE85639R-T1

osa: 7080

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 9GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz, Saada: 13.5dB, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
NE68139R-T1
CEL

NE68139R-T1

osa: 7105

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 9GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz, Saada: 13.5dB, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
NE681M03-A
CEL

NE681M03-A

osa: 7172

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz, Teho - maks: 125mW,

Toivelistaan
NE68518-T1-A
CEL

NE68518-T1-A

osa: 7151

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6V, Taajuus - Siirtyminen: 12GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Saada: 11dB, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
PRF947,115
NXP USA Inc.

PRF947,115

osa: 156682

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 8.5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz, Teho - maks: 250mW,

Toivelistaan
KSC2757RMTF
ON Semiconductor

KSC2757RMTF

osa: 4752

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 1.1GHz, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
KSC2757YMTF
ON Semiconductor

KSC2757YMTF

osa: 1623

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 1.1GHz, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
KSC1674CYTA
ON Semiconductor

KSC1674CYTA

osa: 7157

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Taajuus - Siirtyminen: 600MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Teho - maks: 250mW,

Toivelistaan
KSC1730OTA
ON Semiconductor

KSC1730OTA

osa: 7054

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 1.1GHz, Teho - maks: 250mW,

Toivelistaan
MPSH11
ON Semiconductor

MPSH11

osa: 7117

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Taajuus - Siirtyminen: 650MHz, Teho - maks: 350mW,

Toivelistaan
MMBT5179
ON Semiconductor

MMBT5179

osa: 121720

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 2GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Saada: 15dB, Teho - maks: 225mW,

Toivelistaan
MS2554
Microsemi Corporation

MS2554

osa: 318

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Taajuus - Siirtyminen: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Saada: 6.2dB, Teho - maks: 600W,

Toivelistaan
MMBTH10-7
Diodes Incorporated

MMBTH10-7

osa: 7099

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Taajuus - Siirtyminen: 650MHz, Teho - maks: 300mW,

Toivelistaan
FMMT918TA
Diodes Incorporated

FMMT918TA

osa: 7115

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 600MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Saada: 15dB, Teho - maks: 330mW,

Toivelistaan
FMMT5179TA
Diodes Incorporated

FMMT5179TA

osa: 7098

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 2GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Saada: 15dB, Teho - maks: 330mW,

Toivelistaan
MMBTH24-7
Diodes Incorporated

MMBTH24-7

osa: 7036

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Taajuus - Siirtyminen: 400MHz, Teho - maks: 300mW,

Toivelistaan
ZUMTS17HTC
Diodes Incorporated

ZUMTS17HTC

osa: 7109

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 1.3GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz, Teho - maks: 330mW,

Toivelistaan
MX0912B351Y,114
Ampleon USA Inc.

MX0912B351Y,114

osa: 7134

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Taajuus - Siirtyminen: 1.215GHz, Saada: 7.6dB, Teho - maks: 960W,

Toivelistaan
SD1727
STMicroelectronics

SD1727

osa: 7137

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 55V, Saada: 14dB, Teho - maks: 233W,

Toivelistaan
HFA3128B
Renesas Electronics America Inc.

HFA3128B

osa: 7117

Transistorin tyyppi: 5 PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 5.5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
HFA3096B96
Renesas Electronics America Inc.

HFA3096B96

osa: 7181

Transistorin tyyppi: 3 NPN + 2 PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, 15V, Taajuus - Siirtyminen: 8GHz, 5.5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
HFA3127R
Renesas Electronics America Inc.

HFA3127R

osa: 7137

Transistorin tyyppi: 5 NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 8GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
HFA3046BZ96
Renesas Electronics America Inc.

HFA3046BZ96

osa: 7173

Transistorin tyyppi: 5 NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 8GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
HFA3127B
Renesas Electronics America Inc.

HFA3127B

osa: 7118

Transistorin tyyppi: 5 NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 8GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
HFA3046B
Renesas Electronics America Inc.

HFA3046B

osa: 4777

Transistorin tyyppi: 5 NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 8GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan