Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF

KSC1393OTA
ON Semiconductor

KSC1393OTA

osa: 7105

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Taajuus - Siirtyminen: 700MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, Saada: 20dB ~ 24dB, Teho - maks: 250mW,

Toivelistaan
MMBTH10LT1
ON Semiconductor

MMBTH10LT1

osa: 7082

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Taajuus - Siirtyminen: 650MHz, Teho - maks: 225mW,

Toivelistaan
MMBTH81
ON Semiconductor

MMBTH81

osa: 150632

Transistorin tyyppi: PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Taajuus - Siirtyminen: 600MHz, Teho - maks: 225mW,

Toivelistaan
MCH4020-TL-E
ON Semiconductor

MCH4020-TL-E

osa: 7044

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 8V, Taajuus - Siirtyminen: 16GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Saada: 17.5dB, Teho - maks: 400mW,

Toivelistaan
KSC1674CYBU
ON Semiconductor

KSC1674CYBU

osa: 7152

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Taajuus - Siirtyminen: 600MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, Teho - maks: 250mW,

Toivelistaan
MPSH17_D27Z
ON Semiconductor

MPSH17_D27Z

osa: 7065

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 800MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Saada: 24dB, Teho - maks: 350mW,

Toivelistaan
MMBTH10-4LT1G
ON Semiconductor

MMBTH10-4LT1G

osa: 110623

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Taajuus - Siirtyminen: 800MHz, Teho - maks: 225mW,

Toivelistaan
KSC2757OMTF
ON Semiconductor

KSC2757OMTF

osa: 7058

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 1.1GHz, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
SS9018FBU
ON Semiconductor

SS9018FBU

osa: 172176

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 1.1GHz, Teho - maks: 400mW,

Toivelistaan
MPS5179G
ON Semiconductor

MPS5179G

osa: 7090

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 2GHz, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
MPS5179_D27Z
ON Semiconductor

MPS5179_D27Z

osa: 7096

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 2GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Saada: 15dB, Teho - maks: 350mW,

Toivelistaan
MMBTH10LT3G
ON Semiconductor

MMBTH10LT3G

osa: 135150

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Taajuus - Siirtyminen: 650MHz, Teho - maks: 225mW,

Toivelistaan
MPSH10RLRAG
ON Semiconductor

MPSH10RLRAG

osa: 7099

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Taajuus - Siirtyminen: 650MHz, Teho - maks: 350mW,

Toivelistaan
MMBTH34
ON Semiconductor

MMBTH34

osa: 7159

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Taajuus - Siirtyminen: 500MHz, Teho - maks: 225mW,

Toivelistaan
NE68033-A
CEL

NE68033-A

osa: 7177

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Saada: 9dB, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
NE68139-T1
CEL

NE68139-T1

osa: 7135

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 9GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz, Saada: 13.5dB, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
NE663M04-A
CEL

NE663M04-A

osa: 7133

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3.3V, Taajuus - Siirtyminen: 15GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Saada: 14dB, Teho - maks: 190mW,

Toivelistaan
NE696M01-T1-A
CEL

NE696M01-T1-A

osa: 7144

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6V, Taajuus - Siirtyminen: 14GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.6dB @ 2GHz, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
NE68518-A
CEL

NE68518-A

osa: 4713

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6V, Taajuus - Siirtyminen: 12GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Saada: 11dB, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
NE685M33-A
CEL

NE685M33-A

osa: 4803

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6V, Taajuus - Siirtyminen: 12GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Teho - maks: 130mW,

Toivelistaan
NE68130-T1
CEL

NE68130-T1

osa: 7123

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz, Saada: 9dB ~ 13.5dB, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
NE681M13-A
CEL

NE681M13-A

osa: 7119

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz, Teho - maks: 140mW,

Toivelistaan
NE94430-T1-A
CEL

NE94430-T1-A

osa: 7134

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 2GHz, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
NE663M04-T2-A
CEL

NE663M04-T2-A

osa: 7110

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3.3V, Taajuus - Siirtyminen: 15GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Saada: 14dB, Teho - maks: 190mW,

Toivelistaan
NE687M03-T1-A
CEL

NE687M03-T1-A

osa: 7148

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3V, Taajuus - Siirtyminen: 14GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz, Teho - maks: 90mW,

Toivelistaan
UPA802T-A
CEL

UPA802T-A

osa: 7081

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Saada: 12dB, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
NE68118-T1-A
CEL

NE68118-T1-A

osa: 4791

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 9GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Saada: 14dB, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
HFA3046B96
Renesas Electronics America Inc.

HFA3046B96

osa: 7198

Transistorin tyyppi: 5 NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 8GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
HFA3134IH96
Renesas Electronics America Inc.

HFA3134IH96

osa: 7135

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 9V, Taajuus - Siirtyminen: 8.5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz,

Toivelistaan
HFA3135IH96
Renesas Electronics America Inc.

HFA3135IH96

osa: 7082

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 9V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 5.2dB @ 900MHz,

Toivelistaan
ZTX325STOA
Diodes Incorporated

ZTX325STOA

osa: 7175

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 1.3GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz, Saada: 53dB, Teho - maks: 350mW,

Toivelistaan
FMMT5179TC
Diodes Incorporated

FMMT5179TC

osa: 7095

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 2GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Saada: 15dB, Teho - maks: 330mW,

Toivelistaan
CMPTH81 TR
Central Semiconductor Corp

CMPTH81 TR

osa: 170249

Transistorin tyyppi: PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Taajuus - Siirtyminen: 600MHz, Teho - maks: 225mW,

Toivelistaan
PRF957,115
NXP USA Inc.

PRF957,115

osa: 7145

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 8.5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz, Teho - maks: 270mW,

Toivelistaan
SD1405
STMicroelectronics

SD1405

osa: 7105

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 18V, Saada: 13dB, Teho - maks: 270W,

Toivelistaan
MRF8372GR1
Microsemi Corporation

MRF8372GR1

osa: 7120

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 16V, Taajuus - Siirtyminen: 870MHz, Saada: 8dB ~ 9.5dB, Teho - maks: 2.2W,

Toivelistaan