Diodit - sillan tasasuuntaajat

KBP01M-M4/51

osa: 8732

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

KBL06/1

osa: 8575

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

G2SBA60L-5701E3/45

osa: 8747

G5SBA80-E3/45

osa: 8677

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

RMB4S-E3/45

osa: 156669

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

KBP04M-43E4/51

osa: 8828

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1.57A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

GSIB2560-E3/45

osa: 33207

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

KBU8A-E4/51

osa: 30873

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 50V,

G3SBA20L-M3/51

osa: 126287

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

G2SBA60L-5701E3/51

osa: 8767

KBP04M/1

osa: 8626

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

MB4S-E3/45

osa: 159279

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

W10G-E4/51

osa: 112663

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

GBPC1201/1

osa: 8589

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

EDF1DM/45

osa: 8552

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

VSIB6A20-E3/45

osa: 8762

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

GBPC608/1

osa: 8541

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

EDF1BM-E3/45

osa: 85155

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

GBPC2508/1

osa: 8598

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

G2SBA60-M3/51

osa: 151132

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 750mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

GBPC1506W/1

osa: 2939

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

DF04M/45

osa: 8637

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

GBPC35005/1

osa: 1557

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

KBP08M-M4/51

osa: 8758

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3.14A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

GBPC1005-E4/51

osa: 128496

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

GBPC110-E4/51

osa: 58662

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

KBP06ML-6133E4/72

osa: 2878

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1.57A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

G3SBA20-E3/45

osa: 8687

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

MB4M-E3/45

osa: 102676

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

GBL10-E3/45

osa: 59094

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

GSIB1560-E3/45

osa: 41443

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

VS-GBPC2502A

osa: 12415

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2mA @ 200V,

G2SBA60L-5700E3/45

osa: 8839

GBPC108-E4/51

osa: 58599

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

GBPC15005W/1

osa: 2941

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

G3SBA20L-E3/51

osa: 8697

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,