Transistorit - IGBT-moduulit

VS-150MT060WDF

osa: 994

Kokoonpano: Dual Buck Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 138A, Teho - maks: 543W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.48V @ 15V, 80A,

VS-100MT060WDF

osa: 1233

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 121A, Teho - maks: 462W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.29V @ 15V, 60A,

VS-GB400TH120U

osa: 322

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 660A, Teho - maks: 2660W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 400A,

VS-GB55NA120UX

osa: 2574

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 84A, Teho - maks: 431W,

VS-GB150TH120N

osa: 254

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 1008W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 150A,

VS-GT140DA60U

osa: 1405

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 652W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A,

VS-GB55LA120UX

osa: 2527

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 84A, Teho - maks: 431W,

VS-GB75TP120N

osa: 382

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 543W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A,

VS-GB300TH120N

osa: 146

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500A, Teho - maks: 1645W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

VS-GB75NA60UF

osa: 2771

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 109A, Teho - maks: 447W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A,

CPV363M4U

osa: 2519

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Teho - maks: 36W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 13A,

VS-ETF150Y65N

osa: 1038

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 201A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 150A,

VS-25MT060WFAPBF

osa: 1497

Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 69A, Teho - maks: 195W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.25V @ 15V, 50A,

VS-GB150TH120U

osa: 643

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 280A, Teho - maks: 1147W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 150A,

CPV364M4U

osa: 1849

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Teho - maks: 63W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.84V @ 15V, 20A,

VS-GT50TP120N

osa: 1072

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 405W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A,

VS-GB50LP120N

osa: 1352

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 446W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A (Typ),

VS-100MT060WSP

osa: 1505

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 107A, Teho - maks: 403W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.49V @ 15V, 60A,

VS-GB300LH120N

osa: 478

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500A, Teho - maks: 1645W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 300A (Typ),

VS-GT120DA65U

osa: 233

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 167A, Teho - maks: 577W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A,

VS-GB200NH120N

osa: 244

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 420A, Teho - maks: 1562W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 200A (Typ),

VS-GA400TD60S

osa: 463

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 750A, Teho - maks: 1563W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.52V @ 15V, 400A,

VS-70MT060WSP

osa: 1343

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 96A, Teho - maks: 378W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A,

VS-GT200TP065N

osa: 791

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 221A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.12V @ 15V, 200A,

VS-20MT120UFAPBF

osa: 1337

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Teho - maks: 240W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.66V @ 15V, 40A,

CPV362M4F

osa: 2208

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8.8A, Teho - maks: 23W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.66V @ 15V, 8.8A,

VS-GT100TP60N

osa: 458

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Teho - maks: 417W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

VS-GB100LH120N

osa: 299

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 833W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 100A (Typ),

CPV362M4K

osa: 2264

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5.7A, Teho - maks: 23W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.93V @ 15V, 3A,

VS-GB05XP120KTPBF

osa: 2402

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Teho - maks: 76W,

VS-GB300AH120N

osa: 205

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 620A, Teho - maks: 2500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A (Typ),

VS-GB90DA60U

osa: 1162

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 147A, Teho - maks: 625W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,

VS-ETY020P120F

osa: 297

VS-GB400AH120N

osa: 189

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 650A, Teho - maks: 2500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A (Typ),

VS-GB75LA60UF

osa: 2864

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 109A, Teho - maks: 447W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A,

VS-GB100TP120U

osa: 633

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 735W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 100A,