Diodit - Tasasuuntaajat - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

MUR460-E3/54

osa: 178053

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.28V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT1080S-M3/4W

osa: 155891

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB520A-E3/73

osa: 191335

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

CS2J-E3/I

osa: 139007

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.1µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

UF5405-E3/54

osa: 131445

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 500V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

S2J-M3/52T

osa: 137339

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

CS2K-E3/I

osa: 101304

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.1µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS210-M3/52T

osa: 111954

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SL22-E3/5BT

osa: 156936

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 440mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P6-M3/85A

osa: 139929

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 780mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P6HM3/84A

osa: 120291

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 780mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

S2B-M3/52T

osa: 161547

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

V35PWM60-M3/I

osa: 132863

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 770mV @ 35A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

S2AHE3_A/I

osa: 146320

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP20D-E3/54

osa: 162225

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

V35PWM10HM3/I

osa: 123790

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 35A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS29HE3_A/H

osa: 85

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 90V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P4HM3/84A

osa: 172745

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PDHM3/85A

osa: 112071

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30BQ100-M3/9AT

osa: 181910

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 790mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2K-M3/5BT

osa: 137102

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1D-M3/54

osa: 103857

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT1080S-M3/4W

osa: 147872

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P2HM3/84A

osa: 167254

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2060G-E3/4W

osa: 176493

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS32-M3/57T

osa: 177794

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3080S-M3/4W

osa: 123737

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

V35DM120-M3/I

osa: 109514

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6.3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 35A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSB3L6S-M3/52T

osa: 186617

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 590mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20120SG-E3/4W

osa: 122439

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.33V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS35-M3/9AT

osa: 178520

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5D-M3/9AT

osa: 117759

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.5µs,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PWM45HM3/I

osa: 170980

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 660mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSC520S-M3/9AT

osa: 193446

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2H10-M3/5BT

osa: 118125

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 790mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2D-M3/5BT

osa: 176322

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 150ns,

Toivomuslista