Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Single
BYW85TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW85TR

osa: 190298

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 7.5µs,

Toivomuslista
BYW72-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW72-TR

osa: 176837

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
BYM36A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36A-TAP

osa: 106977

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 100ns,

Toivomuslista
BYV98-200-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-200-TR

osa: 166059

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
BYW73-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW73-TAP

osa: 197416

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
BYM36E-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36E-TR

osa: 193761

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.78V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 150ns,

Toivomuslista
BYV98-50-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-50-TAP

osa: 186896

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
BYT56K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56K-TR

osa: 193768

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 100ns,

Toivomuslista
BY228-13TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228-13TAP

osa: 151048

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2µs,

Toivomuslista
BYW84-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW84-TAP

osa: 193746

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 7.5µs,

Toivomuslista
BYW172G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW172G-TR

osa: 180423

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 9A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 100ns,

Toivomuslista
BYV28-050-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-050-TAP

osa: 168824

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista
BYM36C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36C-TAP

osa: 144190

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 100ns,

Toivomuslista
BYV98-150-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-150-TR

osa: 180379

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
BY228-15TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228-15TR

osa: 184567

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2µs,

Toivomuslista
BYV28-200-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-200-TR

osa: 153910

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista
BYW178-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW178-TAP

osa: 174447

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.9V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 60ns,

Toivomuslista
BYT56J-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56J-TAP

osa: 197427

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 100ns,

Toivomuslista
BYW73-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW73-TR

osa: 197470

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
BYV98-100-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-100-TR

osa: 183624

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
BYT56B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56B-TR

osa: 145511

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 100ns,

Toivomuslista
BYT56G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56G-TR

osa: 111086

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 100ns,

Toivomuslista
BYW84-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW84-TR

osa: 193786

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 7.5µs,

Toivomuslista
BYW75TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW75TR

osa: 190208

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 500V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
BYV98-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-200-TAP

osa: 174443

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
BYT56D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56D-TAP

osa: 181104

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 100ns,

Toivomuslista
BYW172F-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW172F-TR

osa: 183570

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 9A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 100ns,

Toivomuslista
BYV28-100-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-100-TR

osa: 163522

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista
BYT56B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56B-TAP

osa: 149650

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 100ns,

Toivomuslista
BYT78-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT78-TR

osa: 181183

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 250ns,

Toivomuslista
BY228GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228GP-E3/73

osa: 165820

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1500V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 2.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 20µs,

Toivomuslista
BYW83-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW83-TR

osa: 197398

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 7.5µs,

Toivomuslista
BYV98-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-150-TAP

osa: 180387

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
BYW76TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW76TAP

osa: 186903

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 200ns,

Toivomuslista
BYW82-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW82-TAP

osa: 193864

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 7.5µs,

Toivomuslista
BYT56A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56A-TAP

osa: 101521

Diodityyppi: Avalanche, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 100ns,

Toivomuslista