Diodit - Tasasuuntaajat - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

20ETS08FP

osa: 105

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 20A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12FP

osa: 5069

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 20A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06FP

osa: 26

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 160ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04FP

osa: 116

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 160ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02FP

osa: 49

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 160ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10

osa: 31

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.31V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 400ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08

osa: 115

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.31V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 400ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06

osa: 56

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 160ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04

osa: 79

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 160ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02

osa: 38

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 160ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF12S

osa: 75

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.31V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 400ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06S

osa: 10053

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 160ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08S

osa: 10001

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.31V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 400ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04S

osa: 10053

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 160ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10S

osa: 10015

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.31V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 400ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08STRL

osa: 5086

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 20A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

245NQ015

osa: 10043

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 15V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 240A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 400mV @ 240A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12

osa: 5060

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 20A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12S

osa: 10050

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 20A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08S

osa: 9995

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 20A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02S

osa: 9988

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 160ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

301UR80

osa: 1468

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 330A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.22V @ 942A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/73

osa: 107592

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/54

osa: 111138

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/73

osa: 170598

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-E3/73

osa: 162083

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/73

osa: 119879

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/54

osa: 151354

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/54

osa: 146657

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-E3/54

osa: 110475

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

30HFU-100

osa: 1057

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.45V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 80ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

30ETH06

osa: 212

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.6V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

30EPH06

osa: 243

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.6V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

30EPH03

osa: 213

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 55ns,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ10FNTRR

osa: 102

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ06FNTRL

osa: 115

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 610mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista