Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

  • Koti
  •  
  • Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot
SI4936ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4936ADY-T1-GE3

osa: 77137

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista
SI4920DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4920DY-T1-E3

osa: 2966

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Toivomuslista
SI1905BDH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1905BDH-T1-E3

osa: 3022

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 8V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 630mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 542 mOhm @ 580mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
SI4904DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4904DY-T1-GE3

osa: 68499

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Toivomuslista
SI4900DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4900DY-T1-GE3

osa: 132105

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista
SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA907EDJT-T1-GE3

osa: 150001

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Toivomuslista
SI4804CDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4804CDY-T1-E3

osa: 129067

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Toivomuslista
SI4922BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4922BDY-T1-GE3

osa: 93125

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

Toivomuslista
SQJQ900E-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ900E-T1_GE3

osa: 69083

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SI6963BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix

SI6963BDQ-T1-E3

osa: 3001

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Toivomuslista
SI4539ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4539ADY-T1-GE3

osa: 3314

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.4A, 3.7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Toivomuslista
SI4816BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4816BDY-T1-E3

osa: 93648

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.8A, 8.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista
SI1023X-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1023X-T1-E3

osa: 2929

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 370mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Toivomuslista
SQ3987EV-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ3987EV-T1_GE3

osa: 16233

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 133 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SI5915DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5915DC-T1-E3

osa: 2988

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 8V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Toivomuslista
SI3585DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3585DV-T1-GE3

osa: 3014

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A, 1.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

Toivomuslista
SI7956DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7956DP-T1-E3

osa: 43929

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 150V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Toivomuslista
SI3552DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3552DV-T1-GE3

osa: 189573

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Toivomuslista
SQJ956EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ956EP-T1_GE3

osa: 9990

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 26.7 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SI7940DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7940DP-T1-GE3

osa: 2920

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SI4936ADY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4936ADY-T1-E3

osa: 77138

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista
SI5933CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5933CDC-T1-GE3

osa: 181122

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
SI7223DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7223DN-T1-GE3

osa: 9952

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 26.4 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SI9933CDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI9933CDY-T1-E3

osa: 154905

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Toivomuslista
SIZ346DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ346DT-T1-GE3

osa: 9988

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), 30A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 28.5 mOhm @ 10A, 10V, 11.5 mOhm @ 14.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

Toivomuslista
SIZ728DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ728DT-T1-GE3

osa: 110130

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16A, 35A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Toivomuslista
SI4288DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4288DY-T1-GE3

osa: 118896

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SI5938DU-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5938DU-T1-E3

osa: 2940

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
SI4650DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4650DY-T1-E3

osa: 2953

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA,

Toivomuslista
SI5997DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5997DU-T1-GE3

osa: 168303

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Toivomuslista
SIZ350DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ350DT-T1-GE3

osa: 220

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 18.5A (Ta), 30A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6.75 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Toivomuslista
SI4590DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4590DY-T1-GE3

osa: 189788

FET-tyyppi: N and P-Channel, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.4A, 2.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SI3900DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3900DV-T1-GE3

osa: 169893

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SI1023X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1023X-T1-GE3

osa: 119178

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 370mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Toivomuslista
SI1902DL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1902DL-T1-GE3

osa: 162518

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 660mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SI4532CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4532CDY-T1-GE3

osa: 107643

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A, 4.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista