Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

  • Koti
  •  
  • Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot
SI1034CX-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1034CX-T1-GE3

osa: 141761

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 610mA (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 396 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ1922EEH-T1_GE3

osa: 2536

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 840mA (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SQJB68EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB68EP-T1_GE3

osa: 2512

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 92 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SIA906EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA906EDJ-T1-GE3

osa: 181601

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Toivomuslista
SI7228DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7228DN-T1-GE3

osa: 108156

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 26A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SIZ200DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ200DT-T1-GE3

osa: 2544

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Toivomuslista
SI5908DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5908DC-T1-E3

osa: 118929

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
SQJ912BEP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ912BEP-T1_GE3

osa: 2589

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Toivomuslista
SQ1912EH-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ1912EH-T1_GE3

osa: 132067

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 800mA (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SI7272DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7272DP-T1-GE3

osa: 110674

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 25A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SI4931DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4931DY-T1-GE3

osa: 180864

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA,

Toivomuslista
SI4228DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4228DY-T1-GE3

osa: 190253

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Toivomuslista
SI8902AEDB-T2-E1
Vishay Siliconix

SI8902AEDB-T2-E1

osa: 3310

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 24V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Toivomuslista
SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ960EP-T1_GE3

osa: 77437

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SIA527DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA527DJ-T1-GE3

osa: 180836

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
SIB912DK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB912DK-T1-GE3

osa: 125137

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 216 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
SI9933CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI9933CDY-T1-GE3

osa: 185277

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Toivomuslista
SI7942DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7942DP-T1-E3

osa: 63525

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Toivomuslista
SI7922DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7922DN-T1-GE3

osa: 86516

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SI1036X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1036X-T1-GE3

osa: 2514

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 610mA (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
SI7956DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7956DP-T1-GE3

osa: 44000

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 150V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Toivomuslista
SI1024X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1024X-T1-GE3

osa: 185794

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 485mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Toivomuslista
SIA918EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA918EDJ-T1-GE3

osa: 171457

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Toivomuslista
SIZ730DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ730DT-T1-GE3

osa: 117470

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16A, 35A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Toivomuslista
SQ4940AEY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4940AEY-T1_GE3

osa: 158519

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SI4925DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4925DDY-T1-GE3

osa: 189530

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista
SIRB40DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRB40DP-T1-GE3

osa: 117423

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.25 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Toivomuslista
SQ4284EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4284EY-T1_GE3

osa: 100159

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SQJQ906EL-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ906EL-T1_GE3

osa: 63261

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SQJ958EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ958EP-T1_GE3

osa: 2544

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 34.9 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SI7942DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7942DP-T1-GE3

osa: 63492

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Toivomuslista
SI1967DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1967DH-T1-GE3

osa: 103126

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 910mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista
SI7252DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7252DP-T1-GE3

osa: 70505

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 36.7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SQJB42EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB42EP-T1_GE3

osa: 152436

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

Toivomuslista
SI4228DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4228DY-T1-E3

osa: 190258

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Toivomuslista
SISF00DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISF00DN-T1-GE3

osa: 2608

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Toivomuslista