Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot
FEPB16CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16CTHE3/45

osa: 90010

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
GIB2404HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2404HE3/45

osa: 87487

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 975mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FEPB16GTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16GTHE3/81

osa: 68781

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FEPF16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16GT-E3/45

osa: 87524

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
GI2402-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GI2402-E3/45

osa: 93768

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 975mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FEPB16AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16AT-E3/81

osa: 75310

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UGB10BCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10BCTHE3/81

osa: 91848

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-10CVH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10CVH02-M3/I

osa: 3424

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.17V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
GIB2404-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2404-E3/81

osa: 75334

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 975mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UGF10FCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF10FCTHE3/45

osa: 100678

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UGF10GCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF10GCT-E3/45

osa: 104940

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UGB10DCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10DCTHE3/81

osa: 91861

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FEP16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16FT-E3/45

osa: 47314

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FEP16BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16BT-E3/45

osa: 136770

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FEPF16CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16CT-E3/45

osa: 86805

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UGF10BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF10BCTHE3/45

osa: 122391

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
GSD2004A-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-E3-08

osa: 113335

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 240V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 225mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UGB10CCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10CCTHE3/45

osa: 116281

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UGB10FCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10FCT-E3/81

osa: 87382

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UGB18CCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18CCT-E3/81

osa: 78615

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 9A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-30CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CDU06-M3/I

osa: 80813

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FEPB16DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16DTHE3/45

osa: 89991

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FEP16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16GT-E3/45

osa: 61086

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
GIB2403HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2403HE3/81

osa: 72534

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 975mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
GSD2004C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004C-E3-08

osa: 103504

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 240V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 225mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UGF18BCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF18BCT-E3/45

osa: 100246

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 9A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-16CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CDU06-M3/I

osa: 127752

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
GIB2401-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2401-E3/81

osa: 75369

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 975mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
GSD2004S-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004S-HE3-08

osa: 140718

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 240V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 225mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MMBD7000-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

MMBD7000-G3-08

osa: 126070

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista
FEPB16HTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16HTHE3/81

osa: 68723

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 500V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FEPF16ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16ATHE3/45

osa: 83728

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UGF18BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF18BCTHE3/45

osa: 96893

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 9A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SS8P6C-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P6C-M3/86A

osa: 196004

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
GSD2004A-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-HE3-18

osa: 170818

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 240V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 225mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UG18ACT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG18ACT-E3/45

osa: 97928

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 9A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista