Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot | Erilliset puolijohdetuotteet | 97

VS-20CTQ045STRLPBF

osa: 41741

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 760mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF15H45CT-E3/45

osa: 4455

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 7.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 630mV @ 7.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2550CTHE3/81

osa: 3938

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P4CHM3/87A

osa: 3936

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

V60100PW-M3/4W

osa: 41568

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 860mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

UF10DCT-E3/4W

osa: 184630

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR2045CT-E3/45

osa: 3949

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF20H45CTHE3/45

osa: 3932

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 630mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H45CTHE3/81

osa: 4443

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 620mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR2560CTHE3/45

osa: 3932

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB8HCTHE3/81

osa: 95943

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 500V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.75V @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2035CT-E3/45

osa: 3999

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB25L30CTHE3/81

osa: 3957

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 12.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 490mV @ 12.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2050CTHE3/45

osa: 4396

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

V60200PG-E3/45

osa: 3960

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.48V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB6DTHE3/45

osa: 125941

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 975mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB3035CTHE3/45

osa: 3960

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB1030CTHE3/45

osa: 3977

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL1640CT-E3/45

osa: 3981

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB30H150CT-1E3/45

osa: 59361

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR15H45CT-E3/45

osa: 3915

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 7.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 630mV @ 7.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR3035CT-E3/45

osa: 3953

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB25L20CTHE3/45

osa: 3957

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 12.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 490mV @ 12.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

UG18CCTHE3/45

osa: 90756

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 9A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ10FNPBF

osa: 4098

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

U10DCT-E3/4W

osa: 173124

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2545CTTRLP

osa: 34779

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 820mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

UH4PBCHM3/87A

osa: 3954

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA30TA60CSTRLP

osa: 20592

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ045STRLPBF

osa: 59407

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16HTHE3/45

osa: 89085

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 500V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 16A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2035CTPBF

osa: 58079

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

UH4PDCHM3/86A

osa: 3913

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR20H60CTHE3/45

osa: 3957

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 710mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP6DT-E3/45

osa: 148705

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 975mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB15H45CT-E3/81

osa: 3910

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 7.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 630mV @ 7.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista