Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot
VS-MURB1020CT-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1020CT-1HM3

osa: 100779

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 990mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-MURB2020CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB2020CT-M3

osa: 145

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 16A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-HFA16TA60CSR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA16TA60CSR-M3

osa: 162

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.1V @ 16A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-VSKC270-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC270-12PBF

osa: 482

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 135A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VBT3060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT3060G-E3/4W

osa: 149973

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 730mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-43CTQ100S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-43CTQ100S-M3

osa: 67272

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-MURB2020CTLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB2020CTLHM3

osa: 60782

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 850mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-20CTQ035STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ035STRL-M3

osa: 70745

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 640mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-6CWQ04FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ04FNTRL-M3

osa: 120559

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 530mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-6CWQ06FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ06FNTRLHM3

osa: 83488

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 610mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-40CTQ150-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CTQ150-1-M3

osa: 62139

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 930mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-16CTQ100STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ100STRR-M3

osa: 72137

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-MURB1620CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1620CTL-M3

osa: 210

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 975mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VB40100G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB40100G-E3/4W

osa: 67153

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-MBRB4045CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB4045CT-M3

osa: 87172

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-30CTH02STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTH02STRL-M3

osa: 198

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VB20202G-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20202G-M3/8W

osa: 64657

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VBT6045C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT6045C-E3/4W

osa: 49222

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 640mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-30CTQ060STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ060STRL-M3

osa: 72268

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 620mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VB10150C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB10150C-M3/8W

osa: 120992

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.41V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-VSKD270-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD270-08PBF

osa: 454

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 135A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-MBR3045CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR3045CT-1-M3

osa: 94778

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-20CTQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ035STRR-M3

osa: 70763

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 640mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-MURB1020CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1020CT-M3

osa: 131

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VB10150C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB10150C-E3/8W

osa: 128982

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.41V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-MBRD650CTTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD650CTTRR-M3

osa: 182703

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-MBR2045CTHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2045CTHN3

osa: 92561

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-25CTQ035S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25CTQ035S-M3

osa: 88277

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 560mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-VSKC91/12
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC91/12

osa: 1891

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 50A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
V20200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20200C-E3/4W

osa: 42125

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-C4ZU3006FP-E3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-C4ZU3006FP-E3

osa: 128

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.87V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-MURB2020CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB2020CTL-M3

osa: 126

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 16A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-MBRB4045CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB4045CTL-M3

osa: 71984

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-MBRB1545CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1545CTR-M3

osa: 89032

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 7.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 7.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-HFA16PA60C-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA16PA60C-N3

osa: 22158

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-6CWH02FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWH02FNHM3

osa: 85754

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista