Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

IRL620STRR

IRL620STRR

osa: 9184

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 3.1A, 10V,

Toivomuslista
IRF730L

IRF730L

osa: 5937

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 400V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

Toivomuslista
IRFP460P

IRFP460P

osa: 9214

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V,

Toivomuslista
IRF9520STRL

IRF9520STRL

osa: 9065

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.1A, 10V,

Toivomuslista
IRFR9310TR

IRFR9310TR

osa: 9113

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 400V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1.1A, 10V,

Toivomuslista
IRFBC30ASTRR

IRFBC30ASTRR

osa: 9063

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V,

Toivomuslista
IRFI740GLC

IRFI740GLC

osa: 8962

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 400V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.7A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 3.4A, 10V,

Toivomuslista
IRF634NPBF

IRF634NPBF

osa: 9184

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 435 mOhm @ 4.8A, 10V,

Toivomuslista
IRFS11N50ATRL

IRFS11N50ATRL

osa: 9131

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6.6A, 10V,

Toivomuslista
SIR412DP-T1-GE3

SIR412DP-T1-GE3

osa: 139037

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista
IRFR010TR

IRFR010TR

osa: 9059

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

Toivomuslista
IRF840STRR

IRF840STRR

osa: 9053

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Toivomuslista
IRL620STRL

IRL620STRL

osa: 9121

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 3.1A, 10V,

Toivomuslista
IRFBE30S

IRFBE30S

osa: 9064

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2.5A, 10V,

Toivomuslista
IRFR9024

IRFR9024

osa: 9070

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.3A, 10V,

Toivomuslista
IRFI520G

IRFI520G

osa: 9014

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 4.3A, 10V,

Toivomuslista
IRF630L

IRF630L

osa: 9064

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 10V,

Toivomuslista
IRLI630G

IRLI630G

osa: 8983

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.7A, 5V,

Toivomuslista
IRFR010TRR

IRFR010TRR

osa: 9022

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

Toivomuslista
IRF9620L

IRF9620L

osa: 9074

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

Toivomuslista
IRFR9010TRL

IRFR9010TRL

osa: 9044

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 2.8A, 10V,

Toivomuslista
IRFZ10

IRFZ10

osa: 5922

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 10V,

Toivomuslista
IRF820AS

IRF820AS

osa: 9014

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

Toivomuslista
IRFBE30L

IRFBE30L

osa: 9151

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2.5A, 10V,

Toivomuslista
IRFL214TR

IRFL214TR

osa: 9095

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 790mA (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 470mA, 10V,

Toivomuslista
IRFZ44L

IRFZ44L

osa: 9155

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 31A, 10V,

Toivomuslista
IRF830AS

IRF830AS

osa: 9111

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 3A, 10V,

Toivomuslista
IRFBE20S

IRFBE20S

osa: 9083

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V,

Toivomuslista
IRL530S

IRL530S

osa: 9109

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 9A, 5V,

Toivomuslista
IRFR420TRL

IRFR420TRL

osa: 9100

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.4A, 10V,

Toivomuslista
IRFDC20

IRFDC20

osa: 9127

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 190mA, 10V,

Toivomuslista
IRL530STRR

IRL530STRR

osa: 8975

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 9A, 5V,

Toivomuslista
IRL540STRR

IRL540STRR

osa: 9147

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 17A, 5V,

Toivomuslista
IRF830AL

IRF830AL

osa: 8975

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 3A, 10V,

Toivomuslista
IRF740LCSTRR

IRF740LCSTRR

osa: 9025

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 400V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

Toivomuslista
IRFBC20STRR

IRFBC20STRR

osa: 9063

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 1.3A, 10V,

Toivomuslista