Transistorit - FETit, MOSFETit - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

SIHF8N50L-E3

osa: 9448

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 4A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SI7445DP-T1-GE3

osa: 9422

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 19A, 4.5V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRF1405ZTRL

osa: 9324

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 75A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SI1050X-T1-E3

osa: 9342

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 8V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.34A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 1.34A, 4.5V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SUD50P04-13L-GE3

osa: 5637

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRF644NSTRR

osa: 9213

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 8.4A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRF840ASTRR

osa: 9078

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRF520STRL

osa: 8998

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 5.5A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRF9Z24STRL

osa: 5646

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 6.6A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFZ14L

osa: 9138

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRLZ44STRR

osa: 8989

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 31A, 5V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFI710G

osa: 5984

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 400V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta),

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFB9N30A

osa: 9119

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 300V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.3A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5.6A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFR1N60ATRL

osa: 9151

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFR9210TRR

osa: 5998

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFI9520G

osa: 8974

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.1A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRF740LCL

osa: 9071

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 400V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRF9530STRR

osa: 9009

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.2A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFS9N60ATRR

osa: 9054

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFR010

osa: 9137

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFBC40AL

osa: 5988

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFI9610G

osa: 9039

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.2A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFZ24STRR

osa: 9137

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFSL9N60ATRR

osa: 9118

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRF510L

osa: 9028

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 3.4A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFI624G

osa: 9131

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFI9640G

osa: 8954

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.1A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3.7A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRF9610STRL

osa: 9022

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 900mA, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRL630

osa: 6006

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 5V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRF737LCS

osa: 8995

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 300V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.1A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 3.7A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFR014TRL

osa: 9029

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRF9Z24S

osa: 9145

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 6.6A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRF730ASTRL

osa: 8984

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 400V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFR9220TR

osa: 9114

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRF840STRL

osa: 9049

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRF720STRR

osa: 5940

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 400V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2A, 10V,

Toivomuslista