Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Koti
Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

SUP60N10-18P-E3

Vishay Siliconix

SUP60N10-18P-E3

osa: 1092

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista

SI7358ADP-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7358ADP-T1-E3

osa: 1097

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 23A, 10V,

Toivomuslista

SI3495DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3495DV-T1-GE3

osa: 1052

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 4.5V,

Toivomuslista

SUD50N02-04P-E3

Vishay Siliconix

SUD50N02-04P-E3

osa: 6135

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SIE816DF-T1-E3

osa: 1048

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 19.8A, 10V,

Toivomuslista

SI1403CDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1403CDL-T1-GE3

osa: 173021

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.1A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.6A, 4.5V,

Toivomuslista

SI7403BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7403BDN-T1-GE3

osa: 946

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SI4104DY-T1-E3

osa: 1005

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 5A, 10V,

Toivomuslista

SIR432DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR432DP-T1-GE3

osa: 1118

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 28.4A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 30.6 mOhm @ 8.6A, 10V,

Toivomuslista

SUP90N08-6M8P-E3

Vishay Siliconix

SUP90N08-6M8P-E3

osa: 1082

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

SI3441BDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3441BDV-T1-GE3

osa: 6113

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.45A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SIE860DF-T1-E3

osa: 1142

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 21.7A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFZ14PBF

osa: 72560

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 10V,

Toivomuslista

SI7392DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7392DP-T1-GE3

osa: 1120

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.75 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SI7664DP-T1-E3

osa: 1103

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

SI4466DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4466DY-T1-GE3

osa: 1009

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13.5A, 4.5V,

Toivomuslista

SI4102DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4102DY-T1-GE3

osa: 163987

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 158 mOhm @ 2.7A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SI5402DC-T1-E3

osa: 1049

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.9A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.9A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SIE726DF-T1-E3

osa: 6114

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

SI7888DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7888DP-T1-GE3

osa: 6180

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 12.4A, 10V,

Toivomuslista

SI4411DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4411DY-T1-GE3

osa: 1040

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 13A, 10V,

Toivomuslista

SI7495DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7495DP-T1-GE3

osa: 1105

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 21A, 4.5V,

Toivomuslista

SIE848DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE848DF-T1-GE3

osa: 6173

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

IRFBC30ASTRRPBF

Vishay Siliconix

IRFBC30ASTRRPBF

osa: 1029

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V,

Toivomuslista

SI7425DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7425DN-T1-GE3

osa: 1106

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.3A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 12.6A, 4.5V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SI4390DY-T1-E3

osa: 53080

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 12.5A, 10V,

Toivomuslista

SI4048DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4048DY-T1-GE3

osa: 127610

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 19.3A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista

SI2327DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2327DS-T1-GE3

osa: 986

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 380mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.35 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista

SI2303BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2303BDS-T1-GE3

osa: 1030

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.49A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.7A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SI6404DQ-T1-E3

osa: 1110

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.6A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 11A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SUP28N15-52-E3

osa: 6205

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 150V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

Toivomuslista

SUP85N03-04P-E3

Vishay Siliconix

SUP85N03-04P-E3

osa: 1077

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 85A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista

SUM70N03-09CP-E3

Vishay Siliconix

SUM70N03-09CP-E3

osa: 1060

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

SI7674DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7674DP-T1-GE3

osa: 1123

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SI7368DP-T1-E3

osa: 1095

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

SI7447ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7447ADP-T1-GE3

osa: 1094

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 24A, 10V,

Toivomuslista

3600

«
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
»