Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Koti
Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

SI7317DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7317DN-T1-GE3

osa: 140959

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 150V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SIHFR1N60A-GE3

osa: 9973

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

Toivomuslista

SUM110N03-04P-E3

Vishay Siliconix

SUM110N03-04P-E3

osa: 1412

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SIHD6N62E-GE3

osa: 10246

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V,

Toivomuslista

SIE820DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE820DF-T1-GE3

osa: 1474

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 18A, 4.5V,

Toivomuslista

SI3476DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3476DV-T1-GE3

osa: 108008

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 3.5A, 10V,

Toivomuslista

SIRA52DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRA52DP-T1-GE3

osa: 118887

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista

SI3443CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3443CDV-T1-GE3

osa: 193900

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.97A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFP460APBF

osa: 17996

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V,

Toivomuslista

SI2371EDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2371EDS-T1-GE3

osa: 147875

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.7A, 10V,

Toivomuslista

SIS435DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS435DNT-T1-GE3

osa: 181027

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 13A, 4.5V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SI8439DB-T1-E1

osa: 114810

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 8V, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Toivomuslista

SI7812DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7812DN-T1-GE3

osa: 73609

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.2A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SI7463DP-T1-E3

osa: 62425

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 18.6A, 10V,

Toivomuslista

SQ7415AENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ7415AENW-T1_GE3

osa: 9941

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5.7A, 10V,

Toivomuslista

SI7655DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7655DN-T1-GE3

osa: 93051

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

SI2319DDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2319DDS-T1-GE3

osa: 9907

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.7A, 10V,

Toivomuslista

SUP90N06-5M0P-E3

Vishay Siliconix

SUP90N06-5M0P-E3

osa: 1405

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SIHU2N80E-GE3

osa: 10077

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.75 Ohm @ 1A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFR9010TRLPBF

osa: 108086

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 2.8A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFS11N50APBF

osa: 23664

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6.6A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SIHP25N40D-GE3

osa: 21622

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 400V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 13A, 10V,

Toivomuslista

SI5441BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5441BDC-T1-GE3

osa: 139892

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V,

Toivomuslista

SI3437DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3437DV-T1-GE3

osa: 195411

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 150V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.4A, 10V,

Toivomuslista

SQ3481EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ3481EV-T1_GE3

osa: 9951

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5.3A, 10V,

Toivomuslista

SIR460DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR460DP-T1-GE3

osa: 139904

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista

SIR172ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR172ADP-T1-GE3

osa: 167026

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SUD45P03-10-E3

osa: 1457

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

SIHD6N80E-GE3

osa: 12856

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 3A, 10V,

Toivomuslista

SQJ433EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ433EP-T1_GE3

osa: 9965

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 16A, 10V,

Toivomuslista

SIR662DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR662DP-T1-GE3

osa: 76185

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

SI3469DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3469DV-T1-GE3

osa: 153423

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.7A, 10V,

Toivomuslista

SQJA80EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJA80EP-T1_GE3

osa: 136685

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista

SIJ438DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJ438DP-T1-GE3

osa: 95214

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.35 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

SQJ463EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ463EP-T1_GE3

osa: 47733

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 18A, 10V,

Toivomuslista

SI7114ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7114ADN-T1-GE3

osa: 191391

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 18A, 10V,

Toivomuslista

3600

«
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
»