Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Koti
Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Vishay Siliconix

IRFI540GPBF

osa: 25306

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista

SI8805EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

SI8805EDB-T2-E1

osa: 116920

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 8V, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Toivomuslista

SI1414DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1414DH-T1-GE3

osa: 105432

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4A, 4.5V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRLU110PBF

osa: 44175

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 5V,

Toivomuslista

SQJQ480E-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ480E-T1_GE3

osa: 54836

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

SUP50N10-21P-GE3

Vishay Siliconix

SUP50N10-21P-GE3

osa: 40477

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista

SQD07N25-350H_GE3

Vishay Siliconix

SQD07N25-350H_GE3

osa: 8682

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFR214TRPBF

osa: 113516

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.3A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFU9014PBF

osa: 49898

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3.1A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

VQ1004P

osa: 1763

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V,

Toivomuslista

SQD23N06-31L_GE3

Vishay Siliconix

SQD23N06-31L_GE3

osa: 97850

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFU110PBF

osa: 75528

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 900mA, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRF644PBF

osa: 48209

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8.4A, 10V,

Toivomuslista

SIR644DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR644DP-T1-GE3

osa: 121512

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRF9640PBF

osa: 40692

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.6A, 10V,

Toivomuslista

SI1315DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1315DL-T1-GE3

osa: 176998

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 8V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 900mA (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 336 mOhm @ 800mA, 4.5V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFR9014TRPBF

osa: 149247

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3.1A, 10V,

Toivomuslista

SUP53P06-20-GE3

Vishay Siliconix

SUP53P06-20-GE3

osa: 1777

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Ta), 53A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

VP0808B-2

osa: 1858

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 880mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFD9123

osa: 1797

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 600mA, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFR430ATRPBF

osa: 80238

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 3A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

VP0808B-E3

osa: 1809

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 880mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

Toivomuslista

SQD30N05-20L_GE3

Vishay Siliconix

SQD30N05-20L_GE3

osa: 110170

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

SQD97N06-6M3L_GE3

Vishay Siliconix

SQD97N06-6M3L_GE3

osa: 97635

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 97A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFR9020TRPBF

osa: 105921

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9.9A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.7A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFR9120PBF

osa: 66670

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,

Toivomuslista

SUD42N03-3M9P-GE3

Vishay Siliconix

SUD42N03-3M9P-GE3

osa: 1783

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 22A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFP26N60L

osa: 1825

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 16A, 10V,

Toivomuslista

SIJH440E-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJH440E-T1-GE3

osa: 57409

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 0.96 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRLIZ34GPBF

osa: 25084

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 12A, 5V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRF9510SPBF

osa: 32554

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.4A, 10V,

Toivomuslista

SIR482DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR482DP-T1-GE3

osa: 1852

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRLZ24PBF

osa: 54654

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 5V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

IRFR9024TRPBF

osa: 180875

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.3A, 10V,

Toivomuslista

SI4038DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4038DY-T1-GE3

osa: 1778

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 42.5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista

Vishay Siliconix

VP0808B

osa: 1769

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 880mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

Toivomuslista

3600

«
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
»