Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - FETit, MOSFETit - Single
SI7104DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7104DN-T1-E3

osa: 70460

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 26.1A, 4.5V,

Toivomuslista
SI4368DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4368DY-T1-GE3

osa: 43176

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista
SIRA12BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA12BDP-T1-GE3

osa: 248

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista
SI3464DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3464DV-T1-GE3

osa: 171482

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

Toivomuslista
SI7880ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7880ADP-T1-GE3

osa: 33676

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
SIRA90DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA90DP-T1-RE3

osa: 245

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 0.8 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
SISS67DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS67DN-T1-GE3

osa: 244

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista
SI7230DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7230DN-T1-GE3

osa: 113255

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 14A, 10V,

Toivomuslista
SISA12ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA12ADN-T1-GE3

osa: 187703

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista
SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA14DP-T1-GE3

osa: 193041

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista
SIR166DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR166DP-T1-GE3

osa: 110153

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista
SIR670DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR670DP-T1-GE3

osa: 130549

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
SIR165DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR165DP-T1-GE3

osa: 258

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista
SI7806ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7806ADN-T1-GE3

osa: 113283

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V,

Toivomuslista
IRFI830GPBF
Vishay Siliconix

IRFI830GPBF

osa: 37055

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.9A, 10V,

Toivomuslista
SIE808DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE808DF-T1-GE3

osa: 35066

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista
SISA01DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA01DN-T1-GE3

osa: 265

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22.4A (Ta), 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista
SI7390DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7390DP-T1-GE3

osa: 57373

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista
SI4838DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-E3

osa: 52849

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Toivomuslista
SI7862ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7862ADP-T1-GE3

osa: 30546

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 16V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 29A, 4.5V,

Toivomuslista
SIRA00DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA00DP-T1-RE3

osa: 237

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
SISS02DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

osa: 249

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 51A (Ta), 80A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista
SI7149ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7149ADP-T1-GE3

osa: 199708

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista
SIHA17N80E-E3
Vishay Siliconix

SIHA17N80E-E3

osa: 13653

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

Toivomuslista
SQM50P03-07_GE3
Vishay Siliconix

SQM50P03-07_GE3

osa: 30993

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista
SIR182DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR182DP-T1-RE3

osa: 255

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista
SIR140DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR140DP-T1-RE3

osa: 261

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 71.9A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 0.67 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
SI3442BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3442BDV-T1-GE3

osa: 122281

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 4A, 4.5V,

Toivomuslista
SIR680DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR680DP-T1-RE3

osa: 66462

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
SI4838DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-GE3

osa: 44771

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Toivomuslista
SIR180DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR180DP-T1-RE3

osa: 219

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 32.4A (Ta), 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.05 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista
SIR108DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR108DP-T1-RE3

osa: 232

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12.4A (Ta), 45A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista
SIRA60DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA60DP-T1-GE3

osa: 111133

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 0.94 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista
SIS184DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS184DN-T1-GE3

osa: 251

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista
SIR606BDP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

osa: 296

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17.4 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista
SIR668DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR668DP-T1-RE3

osa: 64154

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 95A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista