Muisti | Integroidut piirit (IC) | 3

TC58NVG0S3HBAI4

osa: 31647

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HTA00

osa: 1188

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG0S3HBAI6

osa: 2187

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HBAI4

osa: 31568

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HBAI6

osa: 33157

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HTA00

osa: 33183

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (SLC), Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

Toivomuslista